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物聯網及穿戴設備還未出世前，Serial SRAM并不能吸引主流到SRAM廠商的關注。隨著串行SRAM的商機不斷增多，傳統的SRAM廠商進軍串行SRAM領域的逐漸增多。容量和帶寬將是兩大推動力。 大吞吐量、小巧的串行接口SRAM芯片帶來了無限的可能性。它最終有可能成為眾多電路板上當代嵌入式SRAM和并行SRAM的全財產繼承者。 國產SRAM廠商安徽偉凌創芯微電子有限責任公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲芯片、顯示驅動，接口轉換芯片設計、生產及銷售。擁有國際知名設計專家及工作經驗豐富工程師研發團隊，與國內知名前后道生產合作伙伴緊密合作。為行業客戶提供高品質、低成本，供貨持續穩定的自主知識產權的集成電路產品，產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。 EMI串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造，以提供高速性能和低功耗。采用單芯片選擇（/ CS）輸入進行操作，并通過與SPI兼容的簡單串行接口進行訪問。可在-40℃至+ 85℃（工業級）的溫度范圍內工作。 并口SRAM芯片可作為強大微處理器的主緩存使用， 通常僅以375mW的功率工作。低功耗提供了電池備份數據保留功能，器件采44TSOP2引腳封裝，供電電壓VCC的范圍為2.7~3.6V，屬于普通主板都能提供的弱電輸入電壓。 其作為SRAM最大的特點就是在主機斷電后，仍能通過由電池供電，繼續保存已經存儲在芯片中的數據，并且其數據保存所需的電壓VDR降低到1.5V最低，而所需的電流IDR更是低至4μA最大值，SRAM芯片相比DRAM的優點在于不需要刷新電路就能保存內部存儲的數據，而且更為快速、低功耗。讀寫延時在45/55ns左右，可謂是響應極其迅速的一款產品，適合用在需高速數據傳輸的設備當中。 EMI偉凌創芯SRAM芯片采用先進的全CMOS工藝技術制造，位寬為8/16位異步低功耗SRAM芯片，支持寬電壓范圍2.3V〜5.5V，同時支持商業及工業溫度范圍，封裝采用標準44TSOP2，48BGA，其RAM產品具備高性能，高可靠性，高存儲密度等特性，廣泛應用于辦公自動化，人工智能，工控設備，POS設備，通訊通信行業等。 |
