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提升散熱性與安裝可靠性，非常適用于日益高密度化的車載ECU和ADAS相關設備 ROHM（總部位于日本京都市）開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”，尺寸僅為1.0mm×1.0mm。 
新產品采用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術※2，以1.0mm×1.0mm的尺寸，保證了封裝側面電極部分125μm的高度，屬于業內較高水平。經自動光學檢查（以下簡稱“AOI”※3），在追求品質的車載相關設備上安裝重要元器件后會實施該檢查）確認，實現了非常出色的焊接可靠性。另外，通常小型化和高散熱性之間存在著矛盾權衡關系，采用底部電極結構的新封裝同時兼顧了小型化與高散熱性，非常適用于電路板高密度化的車載ECU和高級駕駛輔助系統（ADAS）等相關設備。
新產品已于2020年9月開始暫以月產10萬個的規模投入量產（樣品價格：100日元/個，不含稅）。 近年來，隨著汽車電子化進程的加速，一臺汽車中使用的電子元器件和半導體元器件數量呈增多趨勢。因此，需要在有限的空間里安裝更多的元器件，安裝密度越來越高。例如，1個車載ECU中的半導體和積層陶瓷電容器的平均搭載數量，預計到2025年將從2019年的186個※增加至230個※，增加近3成。為了滿足安裝密度越來越高的車載應用的需求，市場對小型化的要求也越來越高，因此能夠兼顧小型和高散熱性的底部電極封裝形式開始受到青睞。 另一方面，對于車載元器件，為確�？煽啃裕m然會在安裝元器件后實施AOI，但由于底部電極封裝只在底部有電極，故無法確認焊接狀態，進行車載標準的AOI有一定難度。 ※截至2020年9月29日據ROHM調查 新產品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技術，成功解決了這一課題，并實現了車載用超小型MOSFET，得到了越來越多的汽車領域制造商的青睞。未來，不僅在MOSFET領域，ROHM 也會在雙極晶體管和二極管領域的產品陣容進行不斷擴充。 ＜特點＞ 1. 利用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術， 保證封裝側面電極部分125μm的高度 采用傳統技術的底部電極封裝，因其無法在引線框架側面進行電鍍加工，無法確保車載所需的焊料高度，難以實施AOI。新產品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技術， 實現達到引線框架上限的電鍍加工，以1.0mm×1.0mm的尺寸，保證封裝側面電極部分高度達125μm。即使是底部電極封裝，也可實現穩定的焊接圓角，通過元器件安裝后的AOI可切實確認焊接狀態。
2. 替換為超小型、高散熱性的MOSFET，可應對電路板的高密度化 新產品尺寸僅為1.0mm×1.0mm（DFN1010封裝），卻實現了與2.9mm×2.4mm尺寸（SOT-23封裝）同等的性能，可削減安裝面積達85%左右。不僅如此，通過采用散熱性能優異的底部電極，與SOT-23封裝相比，可將通常因體積縮小而降低的散熱性提高65%。新產品兼顧了小型化與高散熱性，非常適用于隨功能增加，電路板日益高密度化的車載ECU和ADAS相關設備等應用。 ＜產品陣容＞
＜應用示例＞ 可作為開關應用和反接保護應用中的通用產品使用 ·自動駕駛控制ECU ·車載信息娛樂系統 ·引擎控制ECU ·行車記錄儀等 ·ADAS相關設備 |
