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提升散熱性與安裝可靠性，非常適用于日益高密度化的車載ECU和ADAS相關(guān)設(shè)備 ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”，尺寸僅為1.0mm×1.0mm。 
新產(chǎn)品采用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù)※2，以1.0mm×1.0mm的尺寸，保證了封裝側(cè)面電極部分125μm的高度，屬于業(yè)內(nèi)較高水平。經(jīng)自動光學(xué)檢查（以下簡稱“AOI”※3），在追求品質(zhì)的車載相關(guān)設(shè)備上安裝重要元器件后會實施該檢查）確認(rèn)，實現(xiàn)了非常出色的焊接可靠性。另外，通常小型化和高散熱性之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，采用底部電極結(jié)構(gòu)的新封裝同時兼顧了小型化與高散熱性，非常適用于電路板高密度化的車載ECU和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等相關(guān)設(shè)備。
新產(chǎn)品已于2020年9月開始暫以月產(chǎn)10萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)（樣品價格：100日元/個，不含稅）。 近年來，隨著汽車電子化進(jìn)程的加速，一臺汽車中使用的電子元器件和半導(dǎo)體元器件數(shù)量呈增多趨勢。因此，需要在有限的空間里安裝更多的元器件，安裝密度越來越高。例如，1個車載ECU中的半導(dǎo)體和積層陶瓷電容器的平均搭載數(shù)量，預(yù)計到2025年將從2019年的186個※增加至230個※，增加近3成。為了滿足安裝密度越來越高的車載應(yīng)用的需求，市場對小型化的要求也越來越高，因此能夠兼顧小型和高散熱性的底部電極封裝形式開始受到青睞。 另一方面，對于車載元器件，為確�？煽啃裕m然會在安裝元器件后實施AOI，但由于底部電極封裝只在底部有電極，故無法確認(rèn)焊接狀態(tài)，進(jìn)行車載標(biāo)準(zhǔn)的AOI有一定難度。 ※截至2020年9月29日據(jù)ROHM調(diào)查 新產(chǎn)品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技術(shù)，成功解決了這一課題，并實現(xiàn)了車載用超小型MOSFET，得到了越來越多的汽車領(lǐng)域制造商的青睞。未來，不僅在MOSFET領(lǐng)域，ROHM 也會在雙極晶體管和二極管領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容進(jìn)行不斷擴(kuò)充。 ＜特點＞ 1. 利用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術(shù)， 保證封裝側(cè)面電極部分125μm的高度 采用傳統(tǒng)技術(shù)的底部電極封裝，因其無法在引線框架側(cè)面進(jìn)行電鍍加工，無法確保車載所需的焊料高度，難以實施AOI。新產(chǎn)品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技術(shù)， 實現(xiàn)達(dá)到引線框架上限的電鍍加工，以1.0mm×1.0mm的尺寸，保證封裝側(cè)面電極部分高度達(dá)125μm。即使是底部電極封裝，也可實現(xiàn)穩(wěn)定的焊接圓角，通過元器件安裝后的AOI可切實確認(rèn)焊接狀態(tài)。
2. 替換為超小型、高散熱性的MOSFET，可應(yīng)對電路板的高密度化 新產(chǎn)品尺寸僅為1.0mm×1.0mm（DFN1010封裝），卻實現(xiàn)了與2.9mm×2.4mm尺寸（SOT-23封裝）同等的性能，可削減安裝面積達(dá)85%左右。不僅如此，通過采用散熱性能優(yōu)異的底部電極，與SOT-23封裝相比，可將通常因體積縮小而降低的散熱性提高65%。新產(chǎn)品兼顧了小型化與高散熱性，非常適用于隨功能增加，電路板日益高密度化的車載ECU和ADAS相關(guān)設(shè)備等應(yīng)用。 ＜產(chǎn)品陣容＞
＜應(yīng)用示例＞ 可作為開關(guān)應(yīng)用和反接保護(hù)應(yīng)用中的通用產(chǎn)品使用 ·自動駕駛控制ECU ·車載信息娛樂系統(tǒng) ·引擎控制ECU ·行車記錄儀等 ·ADAS相關(guān)設(shè)備 |
