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盡管靜態RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標準接口的出現，這些技術在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細介紹了SRAM和FRAM的共同屬性，這為設計中替換串行SRAM提供了主要動力。 SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設計中表現出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲密度，可以支持完全隨機的讀寫訪問，并且可以獲得所有結果而沒有額外的延遲。鑒于這兩部分都具有使用SPI接口的實現，很明顯，可以認為這些部分可以在大多數設計中互換使用。以下各節描述了這些技術的共同屬性。 記憶容量 當今市場上可用的串行SRAM支持從64 Kbit到1 Mbit的容量。如今，FRAM設備的容量范圍從4 Kbit到4 Mbit。此外，支持超低能耗的新版本FRAM將來將支持更高的容量，最高可達16 Mbit。 即時讀取/寫入隨機訪問 SRAM和FRAM均支持即時讀取或寫入操作。其他技術在讀取和/或寫入時可能會經歷很長的延遲。此外，可以使用SRAM和FRAM訪問完全隨機的地址，而沒有塊大小的限制。 沒有實現特定邊界的SPI地址 SRAM和F-RAM均支持即時讀取或寫入操作。其他技術可能會經歷較長的讀取和/或寫入延遲。 可以使用SRAM和F-RAM訪問完全隨機的地址，而沒有塊大小的限制。 SPI標準實施 SRAM和FRAM均支持SPI接口。串行SRAM產品以較低的密度支持SPI，并且以512 Kbit或更高的密度支持多位雙SPI（DSPI）和四路SPI（QSPI）。目前，當前的FRAM部件僅支持SPI，而ULE FRAM器件則支持所有SRAM接口。所有這些實現都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。 |
