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盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇文章宇芯電子詳細(xì)介紹了SRAM和FRAM的共同屬性，這為設(shè)計(jì)中替換串行SRAM提供了主要?jiǎng)恿Α?/font> SRAM和FRAM之間的相似之處 SRAM和FRAM在許多設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出許多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存儲(chǔ)密度，可以支持完全隨機(jī)的讀寫訪問，并且可以獲得所有結(jié)果而沒有額外的延遲。鑒于這兩部分都具有使用SPI接口的實(shí)現(xiàn)，很明顯，可以認(rèn)為這些部分可以在大多數(shù)設(shè)計(jì)中互換使用。以下各節(jié)描述了這些技術(shù)的共同屬性。 記憶容量 當(dāng)今市場(chǎng)上可用的串行SRAM支持從64 Kbit到1 Mbit的容量。如今，F(xiàn)RAM設(shè)備的容量范圍從4 Kbit到4 Mbit。此外，支持超低能耗的新版本FRAM將來將支持更高的容量，最高可達(dá)16 Mbit。 即時(shí)讀取/寫入隨機(jī)訪問 SRAM和FRAM均支持即時(shí)讀取或?qū)懭氩僮鳌Ｆ渌夹g(shù)在讀取和/或?qū)懭霑r(shí)可能會(huì)經(jīng)歷很長(zhǎng)的延遲。此外，可以使用SRAM和FRAM訪問完全隨機(jī)的地址，而沒有塊大小的限制。 沒有實(shí)現(xiàn)特定邊界的SPI地址 SRAM和F-RAM均支持即時(shí)讀取或?qū)懭氩僮鳌Ｆ渌夹g(shù)可能會(huì)經(jīng)歷較長(zhǎng)的讀取和/或?qū)懭胙舆t。 可以使用SRAM和F-RAM訪問完全隨機(jī)的地址，而沒有塊大小的限制。 SPI標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施 SRAM和FRAM均支持SPI接口。串行SRAM產(chǎn)品以較低的密度支持SPI，并且以512 Kbit或更高的密度支持多位雙SPI（DSPI）和四路SPI（QSPI）。目前，當(dāng)前的FRAM部件僅支持SPI，而ULE FRAM器件則支持所有SRAM接口。所有這些實(shí)現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供。 SRAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級(jí)別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時(shí)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的少量兆位的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的容量。該存儲(chǔ)器沒有特殊配置或頁(yè)面邊界，并且支持標(biāo)準(zhǔn)SPI物理引腳排列。 |
