低功率應用雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFET（IR）

發布時間：2011-7-19 17:02 發布者：eechina

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個封裝上都配備了一對功率MOSFET，提供共汲極和半橋拓撲的靈活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術 (N和P) 來實現超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內，配備了兩個典型導通電阻 (RDS(on)) 均為33mΩ的MOSFET。

這個雙PQFN系列包括專為高側負荷開關優化的P通道器件，可提供更為簡便的驅動解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現有的表面貼裝技術相兼容，并且擁有符合行業標準的占位空間，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

產品規格

器件編號	封裝	BV (V)	最大Vgs	在10V下的典型/最大導通電阻 (mΩ)	在4.5V下的典型/最大導通電阻 (mΩ)	在2.5V下的典型/最大導通電阻 (mΩ)
IRFHS9351	PQFN 2x2	-30V	+/- 20 V	135 / 170	235 / 290	-
IRLHS6276	PQFN 2x2	+20V	+/- 12 V	-	33 / 45	46 / 62
IRLHS6376	PQFN 2x2	+30V	+/- 12 V	-	48 / 63	61 / 82
IRFHM8363	PQFN 3.3x3.3	+30V	+/- 20 V	12/15	16 / 21	-

有關產品現正接受批量訂單。相關數據和MOSFET產品選型工具請瀏覽IR 的網站 www.irf.com。

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