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FRAM作為代碼存儲(chǔ)器應(yīng)用中的單芯片解決方案

發(fā)布時(shí)間:2020-12-23 15:57    發(fā)布者:宇芯電子
通常將采用存儲(chǔ)器技術(shù)的應(yīng)用分為可執(zhí)行代碼和數(shù)據(jù)任務(wù)。可執(zhí)行代碼要求使用非易失性存儲(chǔ)器,并在所有條件下都能夠保留存儲(chǔ)器中的代碼。數(shù)據(jù)任務(wù)則要求能夠?qū)Υ鎯?chǔ)器進(jìn)行快速、簡(jiǎn)易且無(wú)限次數(shù)的讀/寫訪問(wèn)。會(huì)根據(jù)應(yīng)用程序來(lái)決定執(zhí)行數(shù)據(jù)任務(wù)的存儲(chǔ)器是易失性的還是非易失性的。通常可執(zhí)行代碼的存儲(chǔ)器采用基于ROM的技術(shù),而數(shù)據(jù)任務(wù)的存儲(chǔ)器則采用基于RAM的技術(shù)。作為賽普拉斯中的一款非易失性RAM產(chǎn)品,FRAM提供了獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)—它能夠?qū)⒖蓤?zhí)行代碼和數(shù)據(jù)組合在一個(gè)單存儲(chǔ)器中。本篇文章介紹的是代碼存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器的要求.

代碼存儲(chǔ)對(duì)存儲(chǔ)器的要求
◆非易失性
◆相應(yīng)的容量
◆讀取訪問(wèn)時(shí)間
◆防止意外寫入的能力
◆在某部分或某段代碼中的現(xiàn)場(chǎng)可編程能力
◆編程的同時(shí)執(zhí)行讀訪問(wèn)的能力

代碼存儲(chǔ)的基本要求是:應(yīng)該是非易失性存儲(chǔ)器,并在所有條件下都能夠保持它的狀態(tài)。代碼存儲(chǔ)器是只讀的,并且在運(yùn)行過(guò)程中不會(huì)更新存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)器中的內(nèi)容。保持代碼所需的存儲(chǔ)器空間由應(yīng)用程序設(shè)置。通常額外存儲(chǔ)器空間中的20%-30%提供給將來(lái)系統(tǒng)修改使用。代碼執(zhí)行時(shí)間是由存儲(chǔ)器的讀訪問(wèn)時(shí)間決定的;訪問(wèn)時(shí)間越短,對(duì)控制器開(kāi)銷的影響越小。

代碼存儲(chǔ)器是只讀的。應(yīng)防止發(fā)生任何意外的寫入操作,因?yàn)樵摬僮鲿?huì)引起應(yīng)用故障。不過(guò)在幾種情況下,代碼存儲(chǔ)器將被覆蓋。周期性更新設(shè)計(jì)以增加新特性或糾正硬件錯(cuò)誤便是一種情況。現(xiàn)場(chǎng)重新編程代碼存儲(chǔ)器能力是一項(xiàng)主要的優(yōu)勢(shì)和功能。通常,重新編程只會(huì)影響某部分或某段代碼,并不能影響整個(gè)代碼。執(zhí)行重新編程期間,寫訪問(wèn)時(shí)間是決定重新編程器件所需時(shí)間的一個(gè)因素。

代碼存儲(chǔ)器包含實(shí)現(xiàn)擦除/編程功能的代碼,該代碼負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)預(yù)先計(jì)劃的現(xiàn)場(chǎng)可編程能力。在現(xiàn)場(chǎng)編程過(guò)程中,要確保能夠?qū)Υ鎯?chǔ)器的字節(jié)或寄存器的某些部分同時(shí)執(zhí)行讀/寫訪問(wèn),以避免將擦除/編程代碼復(fù)制到其他存儲(chǔ)器(RAM)內(nèi)并從這些存儲(chǔ)空間執(zhí)行代碼所引起的不必要麻煩。

Nand Flash是代碼存儲(chǔ)器的常用解決方案,但在某些應(yīng)用程序(它的代碼規(guī)模比較小,并且應(yīng)用程序需要讀/寫訪問(wèn)時(shí)間(數(shù)據(jù)記錄、能量采集或使用壽命長(zhǎng)的電池等操作)對(duì)稱)中,更應(yīng)該選擇FRAM。


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宇芯電子 發(fā)表于 2020-12-23 15:57:59
Nand Flash是代碼存儲(chǔ)器的常用解決方案,但在某些應(yīng)用程序(它的代碼規(guī)模比較小,并且應(yīng)用程序需要讀/寫訪問(wèn)時(shí)間(數(shù)據(jù)記錄、能量采集或使用壽命長(zhǎng)的電池等操作)對(duì)稱)中,更應(yīng)該選擇FRAM。
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