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pSRAM與SRAM相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。PSRAM 內部自帶刷新機制。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb，64Mb, 128Mb等等。下面EMI代理英尚微電子介紹一款型號為EMI108NA16LM的國產8mb psram。 EMI108NA16LM該器件是使用DRAM型存儲單元的完整COMS SRAM，但是該器件具有無刷新操作和極低的功耗技術。此外該接口與低功耗異步型SRAM兼容。其工藝技術采用全CMOS,位寬512K x 16，電源電壓范圍為2.7~3.3V，三態輸出和TTL兼容，包裝類型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米，分離的I/O電源（VCCQ）和核心電源（VCC），取消選擇時自動關機。 
EMI108NA16LM規格書下載 
8Mb.pdf
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關于EMI EMI是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場（Niche market）專用芯片/小型SOC芯片及SRAM/PSRAM的整體解決方案，第一代產品涉及千兆/萬兆USB網口芯片以及音視頻接口芯片。提供創新、高品質、高性價比、 供貨持續穩定的芯片。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。 |
| PSRAM 內部自帶刷新機制。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb，64Mb, 128Mb等等。下面EMI代理英尚微電子介紹一款型號為EMI108NA16LM的國產8mb psram。 |
| EMI108NA16LM該器件是使用DRAM型存儲單元的完整COMS SRAM，但是該器件具有無刷新操作和極低的功耗技術。此外該接口與低功耗異步型SRAM兼容。其工藝技術采用全CMOS,位寬512K x 16，電源電壓范圍為2.7~3.3V，三態輸出和TTL兼容，包裝類型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米，分離的I/O電源（VCCQ）和核心電源（VCC），取消選擇時自動關機。 |
