富士通FRAM技術和工作原理

英尚微電子

存儲設備（主要指存儲數據的半導體產品）通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數據在斷電時消失，如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數據在斷電時不會消失，這意味著數據一旦被寫入，只要不進行擦除或重寫，數據就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。

富士通FRAM技術和工作原理

FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應來進行非易失性數據存儲又可以像RAM一樣操作。

•當一個電場被加到鐵電晶體時，中心離子順著電場的方向在晶體里移動，當離子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內部電路感應到電荷擊穿并設置記憶體。

•移去電場后中心離子保持不動，記憶體的狀態也得以保存。

•材料本身的遲滯特性的兩個穩定點代表0或1的極化值。

FRAM的特點

獨特性能成就技術“硬核”，FRAM是存儲界的實力派。除非易失性以外，FRAM還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。

其中FRAM寫入次數壽命高達10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時，FRAM寫入數據可在150ns內完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個字節數據的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有無與倫比的優勢。

富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質，近年來在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領域開始風生水起，在各種應用領域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產品相關技術支持。

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獨特性能成就技術“硬核”，FRAM是存儲界的實力派。除非易失性以外，FRAM還具備三大主要優勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數同類型存儲器無法比擬的。

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FRAM寫入次數壽命高達10萬億次、而EEPROM僅有百萬次(10^6)。同時，FRAM寫入數據可在150ns內完成、速度約為EEPROM的1/30,000，寫入一個字節數據的功耗僅為150nJ、約為EEPROM的1/400，在電池供電應用中具有無與倫比的優勢。