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臺積電1nm以下制程取得重大突破,已發表于Nature

發布時間:2021-5-18 09:37    發布者:eechina
關鍵詞: 1nm , 臺積電
IT之家 5月17日消息 臺積電今日聯合臺大、麻省理工宣布,在1nm以下芯片方面取得重大進展,研究成果已發表于Nature。

該研究發現,利用半金屬鉍 Bi 作為二維材料的接觸電極,可以大幅降低電阻并提高電流,實現接近量子極限的能效,有望挑戰1nm 以下制程的芯片。

據介紹,該發現是由麻省理工團隊首先發現的,隨后臺積電將“易沉積制程”進行優化,而臺大電機系暨光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統”將元件通道成功縮小至納米尺寸。

IT之家此前報道,IBM 在5月初首發了2nm 工藝芯片,與當前主流的7nm 芯片相比,IBM 2nm 芯片的性能預計提升45%,能耗降低75%。

不過業界人士表示,由于 IBM 沒有先進邏輯制程芯片的晶圓廠,因此其2nm 工藝無法很快落地,“彎道超車”也比較困難。

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