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Cypress憑借在分立存儲器半導(dǎo)體領(lǐng)域近40年的經(jīng)驗，以同類最佳的存儲器產(chǎn)品、解決方案和技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)。于1982年推出第一款隨機存取存儲器，并從這個吉祥的開端發(fā)展為涵蓋NOR閃存、pSRAM、SRAM、nvSRAM和FRAM的廣泛產(chǎn)品，其密度范圍從4Kbit到4Gbit。賽普拉斯易失性和非易失性存儲器產(chǎn)品組合具有以下特性：超低功耗、高性能、可靠的FRAM產(chǎn)品。Cypress代理可提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 功能概述 FM25V01A-G是一個采用高級鐵電工藝的128Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。 與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V01A-G以總線速度執(zhí)行寫操作。并且它不會引起任何寫操作延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷�，�?shù)據(jù)立即被寫入到存儲器陣列內(nèi)。這時可以開始執(zhí)行下一個總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。與其他非易失性存儲器相比的是該產(chǎn)品提供了更多的擦寫次數(shù)。FM25V01A-G能夠支持1014次讀/寫周期，或支持比EEPROM多1億次的寫周期。 由于具有這些特性，因此FM25V01A-G適用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用。應(yīng)用的范圍包括從數(shù)據(jù)采集（其中寫周期數(shù)量是非常重要的）到苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的較長寫時間會使數(shù)據(jù)丟失）。 作為硬件替代時，F(xiàn)M25V01A-G為串行EEPROM或閃存的用戶提供大量便利。FM25V01A-G使用高速的SPI總線，從而可以改進(jìn)FRAM技術(shù)的高速寫入功能。該器件包含一個只讀的器件ID，通過該ID，主機可以確定制造商、產(chǎn)品容量和產(chǎn)品版本。在–40℃到+85℃的工業(yè)級溫度范圍內(nèi)，該器件規(guī)范得到保證。 特性 ■128Kbit鐵電性隨機存儲器（FRAM）被邏輯組織為16K×8 ❐高耐久性：100萬億（1014）次的讀/寫操作 ❐151年的數(shù)據(jù)保留時間（請參考數(shù)據(jù)保留時間與耐久性表） ❐NoDelay™寫操作 ❐高級高可靠性的鐵電工藝 ■非�？斓拇型庠O(shè)接口（SPI） ❐工作頻率可高達(dá)40MHz ❐串行閃存和EEPROM的硬件直接替代 ❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1） ■精密的寫入保護(hù)方案 ❐使用寫保護(hù)（WP）引腳提供硬件保護(hù) ❐使用寫禁用指令提供軟件保護(hù) ❐可為1/4、1/2或整個陣列提供軟件模塊保護(hù) ■器件ID ❐制造商ID和產(chǎn)品ID ■低功耗 ❐當(dāng)頻率為40MHz時，有效電流為2.5mA ❐待機電流為150mA ❐睡眠模式電流為8mA ■工作電壓較低：VDD=2.0V到3.6V ■工業(yè)溫度范圍：–40℃到+85℃ ■8引腳小型塑封集成電路（SOIC）封裝 ■符合有害性物質(zhì)限制（RoHS） 引腳分布 FM25V01A-G是一個串行FRAM存儲器。存儲器陣列被邏輯組織為16,384×8位，使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外設(shè)接口（SPI）總線可以訪問它。FRAM和串行閃存以及串行EEPROM的功能操作是相同的。FM25V01A-G與串行閃存或具有相同引腳分布的EEPROM的主要區(qū)別在于FRAM具有更好的寫性能、高耐久性和低功耗。 存儲器架構(gòu) 當(dāng)訪問FM25V01A-G時，用戶尋址16K地址的每8個數(shù)據(jù)位。這些8位數(shù)據(jù)被連續(xù)移入或移出。通過使用SPI協(xié)議可以訪問這些地址，該協(xié)議包含一個芯片選擇（用于支持總線上的多個器件）、一個操作碼和一個兩字節(jié)地址。該地址范圍的高2位都是‘無需關(guān)注’的值。14位的完整地址獨立指定每個字節(jié)的地址。 FM25V01A-G的大多數(shù)功能可以由SPI接口控制，或者通過板上電路自動處理。存儲器的訪問時間幾乎為零，該時間小于串行協(xié)議所需要的時間。因此該存儲器以SPI總線的速度進(jìn)行讀/寫操作。與串行閃存或EEPROM不同的是，不需要輪詢器件的就緒條件，這是因為寫操作是以總線速度進(jìn)行的。新的總線數(shù)據(jù)操作移入器件前需要完成寫操作。 賽普拉斯鐵電RAM(FRAM)存儲器，通過將超低功耗操作與高速接口、即時非易失性和無限讀/寫相結(jié)合，提供業(yè)界功耗最低的關(guān)鍵任務(wù)非易失性存儲器循環(huán)耐力。這使得FRAM成為便攜式醫(yī)療、可穿戴、物聯(lián)網(wǎng)傳感器、工業(yè)和汽車應(yīng)用的理想數(shù)據(jù)記錄存儲器。 |
