功率器件作為半導體產業的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業界的持續關注。
如今，在生產工藝不斷優化、成本持續降低的情況下，老牌大廠與初創企業紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產能爬坡階段。作為半導體制造業的關鍵參與者，業界領先的ALD設備制造商和服務商青島四方思銳智能技術有限公司日前重磅亮相2021年中國集成電路制造年會（CICD），向業界展示了ALD技術在功率半導體制造環節的創新應用，共同探討新開局新挑戰下的行業發展新機遇。 ALD與GaN相得益彰，SRII本地化布局加速中國三代半供應鏈構建 縱觀第三代半導體功率應用，GaN無疑是率先突破的細分市場。根據Yole Développement的最新調研報告，預計2026年全球GaN功率器件的市場規模將增長至11億美元，年均復合增長率達到70%，其中手機快充等消費市場是未來2-3年的主要驅動力，新能源汽車OBC充電器、工業領域逆變器、數據中心高效電源等應用則緊隨其后。 在CICD同期舉行的“功率及化合物半導體”專題論壇上，思銳智能總經理聶翔先生在演講中表示：“面對來自市場端的巨大需求，無論是外延廠還是Fab都在積極擴建當前產能。思銳智能作為生產設備供應商，更能深切地體會到行業產能擴充在過去的1-2年里有著明顯的增速。對此，我們很早就推出了量產型ALD沉積設備——Transform系列，廣泛布局本土功率市場，助力中國第三代半導體產業的產能擴充需求。不久前，我們成功交付了一套最新的Beneq Transform Lite設備給到中國市場的第三代半導體龍頭客戶，幫助其加速GaN產線的擴建。” 據了解，思銳智能的先進ALD鍍膜工藝可顯著改善GaN器件的綜合性能、并已達到量產化的要求。而ALD技術能夠以一個原子的厚度(0.1nm)為精度實現基底表面的鍍膜，這是區別于其他沉積工藝的一大優勢，尤其是在復雜的3D結構上可實現高保形、高質量的薄膜生長，同時ALD具有較寬的工藝窗口，也支持多種薄膜疊層鍍膜。對于SiC、GaN等功率與化合物材料，其器件3D結構越來越復雜，對薄膜要求也越來越高，因此ALD技術成為了該領域的新寵。 產研合作致力創新落地 針對業界大熱的第三代半導體應用，思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實現了量產化的解決方案，也在持續挖掘ALD技術之于傳統硅基，SiC，GaN器件的創新應用潛力。例如，思銳智能旗下子公司Beneq立足于歐洲，已攜手眾多研究機構開展以上這些領域的技術合作，致力于量產化的創新。“當然，我們也非常希望能夠與國內的機構或者行業客戶一起開展聯合研發工作，通過采用基于ALD技術的創新應用，實現提升器件性能以及易于量產的目的。”聶翔表示。
25片8寸晶圓的batch工藝條件下的產能情況，基于完全真實的cycle time和GPC、WiW、WtW，指標完全滿足spec要求 與此同時，思銳智能正在不斷拓展旗下Beneq Transform系列產品，進而應對愈加復雜的半導體鍍膜需求，全面對標集成電路、功率與化合物半導體和泛半導體應用。自2019年起，在歐洲，美國、日本、中國大陸和臺灣地區內全球知名的半導體客戶量產線上投入使用，有著充分驗證的工藝穩定性和設備穩定性。同時，可以提供行業最完善的成熟量產工藝包，涵蓋各類氧化物、氮化物等。截至目前，Transform系列產品已獲得全球多個客戶的訂單。 |
