大聯大旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP51561高壓隔離驅動器的高頻小型化工業電源方案。
圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的高頻小型化工業電源方案的展示板圖 在“雙碳”話題愈演愈烈的當下，以GaN氮化鎵/SiC碳化硅為材料的功率半導體器件進入了加速發展車道。GaN和SiC被稱為“寬帶隙半導體(WBG)”，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性，可以幫助產品實現更高的開關效率。據業內人士介紹，GaN是最接近理想的半導體開關器件，能夠以非常高的效能和高功率密度來實現電源轉換，輕松滿足服務器和云端數據中心最嚴格的80+規范或USB PD外部適配器的歐盟行為準則Tier 2標準。基于此背景，大聯大世平推出基于onsemi NCP51561的高頻小型化工業電源方案。
圖示2-大聯大世平基于onsemi產品的高頻小型化工業電源方案的場景應用圖 NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅動器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。
圖示3-大聯大世平基于onsemi產品的高頻小型化工業電源方案的方塊圖 此外，NCP51561還具有兩個獨立的5kVRMS（UL1577級）電隔離門極驅動器通道，可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅動器，具備可編程的死區時間。不僅如此，器件的一個使能引腳能同時關斷兩個輸出，且NCP51561提供其他重要的保護功能，如用于兩個門極驅動器的獨立欠壓鎖定（UVLO）和使能功能。得益于這些出色的功能，可有效提高小型化工業電源的能源轉換效率。 核心技術優勢： 兩個輸出驅動器擁有獨立UVLO保護； 輸出電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值； 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收； 150V/ns dV/dt抗擾度； 36 ns典型傳遞延遲； 8 ns最大延遲匹配； 可編程輸入邏輯； 通過ANB的單或雙輸入模式； 可編程死區時間； Enable功能； 隔離與安全： 從輸入到每個輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200V峰值差分電壓； 1200V工作電壓（根據VDE0884−11要求）。 方案規格： 雙低側、雙高側或半橋驅動器； 輸出電源電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值； 4A峰值電流源，8A峰值電流吸收。 |
