大聯大旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP5156x芯片的雙通道隔離驅動IC評估板方案。
圖示1-大聯大世平基于onsemi產品的雙通道隔離驅動IC評估板方案的展示板圖 在緊湊尺寸下實現高功率密度，已成為當前工業電源設計的核心目標。為實現這一目標，工程師必須考慮設計的各個方面。在這種背景下，大聯大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅動IC評估板方案，旨在通過出色的隔離性能、高效的驅動能力以及便捷的評估環境，縮短電源產品的設計周期。
圖示2-大聯大世平基于onsemi產品的雙通道隔離驅動IC評估板方案的場景應用圖 NCP5156x系列是onsemi推出的一款隔離式雙通道閘極驅動器，具備4.5A/9A的拉電流和灌電流峰值，專為快速開關驅動功率MOSFET和SiC設計。NCP5156x系列提供短且匹配的傳播延遲，獨立的5kVRMS內部電流隔離輸入到每個輸出以及兩者之間的內部功能隔離輸出驅動器，允許工作電壓高達1500VDC。另外，此驅動器具有極高的靈活性，可配置為兩個低側開關、兩個高側開關，或帶有可編程死區時間的半橋驅動器。通過ENA/DIS引腳，用戶可以輕松地在ENABLE和DISABLE模式中分別設置為高電平或低電平，從而同時啟用或禁用兩個輸出。 除此之外，NCP5156x還提供其他重要的保護功能，例如閘極驅動器和死區（Dead Zone）的獨立欠壓鎖定時間調整功能。
圖示3-大聯大世平基于onsemi產品的雙通道隔離驅動IC評估板方案的方塊圖 隨著電力電子技術的不斷發展，業內對此類高性能的隔離驅動IC需求將不斷增長。未來，大聯大世平將繼續與onsemi等全球先進的半導體供應商緊密合作，不斷推出更多創新、實用的解決方案，滿足市場對高效電源產品的設計需求。 核心技術優勢： onsemi NCP5156x驅動IC具有以下技術優勢： 設計彈性優（Flexible）可用于雙低側、雙高側或半橋閘極驅動； 兩個輸出驅動器均具有獨立的UVLO保護； 輸出電源電壓范圍為6.5V至30V，其中驅動電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOSFET； 4.5A峰值拉電流（Sink）、9A峰值灌電流（Source）輸出； 共模瞬態抗擾度CMTI >200V/ns； 傳播延遲典型值為36ns； 每個通道有5ns最大延遲匹配，5ns最大脈寬失真； 使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式（僅限NCP51561/563）啟用或停用模式； 3V至5.0V VDD電源范圍，最高30V VCCA/VCCB電源范圍； 4.5A和9A拉電流/灌電流驅動能力； TTL相容輸入； 允許輸入電壓高達18V，適用于INA、INB、和ANB腳位； 用于死區時間的板載微調電位器程式設計； 用INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳； 2位接頭，用于ANB引腳； 支持MOSFET和SiC半橋測試； 連接到外部功率級的MOSFET，輸入電壓為600VDC- 800VDC（最大可允許900VDC）。 方案規格： 電源電壓：輸入側VDD 3.0V（最小）~ 5.0V（最大）； 電源電壓—驅動器側如下可選： 5V UVLO版本VCCA、VCCB：6.5V（最小）~30V（最大）； 8V UVLO版本VCCA、VCCB：9.5V（最小）~30V（最大）； 13V UVLO版本VCCA、VCCB：14.5V（最小）~30V（最大）； 17V UVLO版本VCCA、VCCB：18.5V（最小）~30V（最大）； INA、INB和ANB引腳上的邏輯輸入電壓VIN：0V（最小）~ 18V（最大）； ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓：0V（最小）~5.0V（最大）； 操作溫度Tj：－40°C（最小）~＋125°C（最大）。 |
