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低導通損耗200/250V MOSFET (英飛凌)

發布時間:2010-1-25 20:20    發布者:嵌入式公社
關鍵詞: MOSFET , 損耗 , 英飛凌
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件,進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動。憑借同類器件中最低的優質化系數(FOM),OptiMOS 200V和250V技術可使系統設計的導通損耗降低一半。

對于應用二極管整流的48V開關電源而言,工程師們現在有了全新的選擇,從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個百分點,從功率損耗的角度看,也就是發熱量降低了30%,這滿足了電信市場對更高能源效率的需求。

據稱,相對于其他同類產品,OptiMOS 200V和250V系列器件的通態電阻RDS(on)降低了50%,使大電流應用能夠實現最低的導通損耗。另外,業界最低的柵極電荷Qg (比同類產品低35%)有助于實現最低開關損耗和高速開關。實際應用比如通信電源的DC/DC變換。此外,該OptiMOS 200/250V 可以減少并聯器件的數目,從而降低系統成本。同時,由于具備較低的通態電阻,可確保使用較小尺寸的散熱器;而優化的開關特性,可確保實現簡化的快速設計流程。

OptiMOS 200V和250V系列具備出色的特性,可使以往需要較大D2PAK封裝(9mmx10mmx4.5mm)的應用轉換到使用纖薄的SuperSO8封裝(5mmx6mmx1mm)上來。因此,功率半導體器件占板空間可以降低90%以上。也就是說,系統的功率密度得以大幅度提高。此外,采用SuperSO8等無引腳封裝,還可實現理想的開關特性,更高的效率以及 EMI水平。



上市時間和定價

OptiMOS 200V和250V系列器件現已上市,包括通態電阻(25度下最大值)分別為10.7mΩ、20 mΩ、32 mΩ和60 mΩ的TO-220、TO-262、D2PAK和SuperSO8等封裝形式。對于訂貨量為1萬片的小批量訂貨,200V器件和250V器件的起價分別為1.2美元和1.4美元。
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