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來源：快科技 今天的財報會上，臺積電不僅公布了Q3季度業(yè)績，同時也透露了最新的工藝進展，3nm工藝的需求已經(jīng)超過了預期，明年會滿載量產(chǎn)，而2nm工藝也進度喜人，2025年量產(chǎn)。 臺積電在6月份正式公布了2nm工藝，并透露了一些技術細節(jié)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。 不過在晶體管密度上，2nm工藝的提升就不那么讓人滿意了，相比3nm只提升了10%，遠低于以往至少70%的晶體管密度提升，這可能是臺積電首次在2nm工藝上放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管所致，第一代工藝會保守一些。 根據(jù)臺積電CEO魏哲家的說法，2nm工藝的進展很順利，甚至超過預期，不過他們現(xiàn)在的計劃依然是2025年量產(chǎn)，沒打算提前。 臺積電的2nm工藝應該還是會由蘋果首發(fā)，今年的A16是4nm，明年的A17及后年的A18應該都是3nm，2025年的A19芯片才有可能用上2nm工藝。 |
