國產碳化硅MOS管（SiC MOS ) PFC 功率器件主開關管的選擇
PFC 技術 趨勢.pdf
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碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產品應用、驅動、系統方案2024（8）.pdf
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碳化硅MOS已經在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規格的OBC的PFC和LLC大批量使用。 |
| 第三代半導體SiC |
| 第三代半導體SiC MOS |
| 第三代半導體SIC寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
| SIC MOS寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點 |
| 碳化硅MOS已經在3.3KW、6.6KW、11KW、22KW等規格的OBC的PFC和LLC大批量用 |
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PFC電路大量采用國產碳化硅MOS |
| SiC MOS功率電子器件的主要優點是開關頻率高、導通損耗低、效率更高且熱管理系統更簡單 |
| 通過IATF16949、ISO9001等質量體系和第三方AEC-Q101產品可靠性認證。 |
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1200V-1700V-3300V 都有 |
| SiC MOSFET(碳化硅MOS)柵極驅動以及柵極驅動器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取碼bbbc |
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http://www.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 |
| SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 - 電子工程網 http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
| SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 - http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
