ASC300N1200MEP2B(-1).pdf
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ASC300N1200MEP2B碳化硅模塊（Easy 2B）特點(diǎn) 1. 采用先進(jìn)的真空回流焊工藝，Al2O3絕緣陶瓷，最高工作結(jié)溫150℃； 2. 高功率密度，低寄生電感，低開(kāi)關(guān)損耗； 3. 適用高溫、高頻應(yīng)用； 4. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成。 |
| 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成。 |
| SICMOS管 ,sic模塊車載OBC，光伏逆變，風(fēng)能等新能源行業(yè)大量采用 |
| 碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。 |
| SiC 功率電子器件的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國(guó)產(chǎn)https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr |
| FF6MR12W2M1P_B11 拼to拼 |
| 高功率密度，低寄生電感，低開(kāi)關(guān)損耗 |
| 碳化硅MOS柵極驅(qū)動(dòng)原理圖http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
| 頂起 |
| 碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電流密度、快速開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和抗輻射性能等獨(dú)特特點(diǎn)，在電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。 |
| 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 - 無(wú)源器件/分立半導(dǎo)體 - 電子工程網(wǎng) http://www.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html |
碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)合訂本 https://pan.baidu.com/s/1IGOLO2oMVZ1wYF80zFcc9g提取碼uspc |
