碳化硅(SiC）全碳SiC模塊特性：
碳化硅MOS管-全SiC模塊產品簡介.pdf
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DCS12模塊特點 1. 采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃； 2. 功率密度高，適用高溫、高頻應用，超低損耗； 3. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。 |
| 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成 |
| 采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃； |
| 碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。 |
| DCS12模塊 很好，電控用的多 |
| 碳化硅MOS耐壓650V-1200V-1700V-3300V 國產https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr |
| DCS12模塊和丹弗斯 PTOp |
| 液冷的 塑膠模塊，電控的好搭檔 |
| 液冷的 塑膠模塊 |
| 全碳SIC模塊 大全 |
| 實現更高的功率密度，可靠性和效率。 |
| 碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 - http://www.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html |
| 全碳SIC模塊 |
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DCS12模塊特點1.采用單面水冷+模封工藝，最高工作結溫175℃； 2. 功率密度高，適用高溫、高頻應用，超低損耗； 3. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。 |
| SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網 http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
