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來源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)中國電子科技集團有限公司官方消息，近日，中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，并表示已達(dá)到國際最高水平。 氧化鎵是新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，擁有優(yōu)異的物理化學(xué)特性，在微電子與光電子領(lǐng)域均擁有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片等。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。 中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 |
