3300V碳化硅MOS器件承受更高的擊穿電壓，有更低的電阻率，工作溫度更高。
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| 碳化硅（SiC）現在作為一種成熟的技術，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應用中改變了電力行業，覆蓋工業、能源和汽車等眾多領域。 |
| 3300V 好產品 |
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