貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化，可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用提供高可靠性和高性能。
可再生能源和大功率工業(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大柵極至源極電壓 (VGS) 范圍為-15V至+25V，適用于柵極電壓達(dá)到-10V的快速開關(guān)應(yīng)用，從而提高系統(tǒng)可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A測試條件下的柵極電荷 (Qg) 僅為200nC，在快速開關(guān)、大功率可再生能源應(yīng)用中具有很高的效率。 NDSH25170A和NDSH10170A EliteSiC肖特基二極管的額定BV為1700V，在最大反向電壓 (VRRM) 和重復(fù)峰值反向電壓之間具有更大的容限。這些器件還使設(shè)計人員能夠在高溫下實現(xiàn)穩(wěn)定的高壓操作，并且不會影響SiC的高效率。 無論是電動汽車充電站、利用可再生能源的電網(wǎng)，還是高壓/大電流的工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用，安森美EliteSiC都能實現(xiàn)出色的效率，并降低功率損耗。 貿(mào)澤在過去兩年中提供了超122,000個新物料編號。如需進一步了解安森美EliteSiC器件，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/onsemi/onsemi-wide-band-sic/。 如需進一步了解NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/onsemi/onsemi-nth4l028n170m1-mosfet/。 如需進一步了解NDSH25170A和NDSH10170A 1700V EliteSiC肖特基二極管，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/onsemi/on-semi-1700v-diodes/。 |
