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IBM近日表示，美光的混合存儲立方體(HMC)將成為第一個采用IBM TSV(through-silicon via；過孔硅)工藝的商業化CMOS制造技術。 IBM在一份聲明中稱，IBM的3D芯片制程TSV芯片制造技術能使美光的混合式存儲立方體的傳輸速度達到當前技術的15倍。該產品部分組件將會在IBM位于紐約的晶圓廠生產，使用該公司32納米high-K金屬柵極工藝制造。IBM將會在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會議上展示它的TSV工藝技術。 美光的混合式存儲立方為DRAM封裝的一項突破，它的基本理念是將芯片層層疊起，較當前技術用到更多且速度更快的數據通路。 其最初的原型能以每秒128GB的速率執行，未來技術成熟后速率會更高，而目前的存儲器芯片的速率為12.8GB/s。此外，HMC使用的電力也減少了70%。 |
