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AOD603A一款TO252-5封裝 MOSFET參數(shù)應(yīng)用解析

發(fā)布時(shí)間:2023-10-7 09:28    發(fā)布者:VBsemi
關(guān)鍵詞: MOS管 , AOD603A

AOD603A(VBE5638)是一款N+P溝道MOS型晶體管,采用TO252-5封裝。該產(chǎn)品具有±60V的耐壓能力和35A的正向電流承載能力,以及-18A的反向電流承載能力。其導(dǎo)通電阻RDS(ON)在10V時(shí)為38mΩ(N溝道)和58mΩ(P溝道),在4.5V時(shí)為45mΩ(N溝道)和70mΩ(P溝道)。其門源閾值電壓為±1~3V,工作電壓范圍為20Vgs(±V)。

該產(chǎn)品適用于多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。其中,一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域是電源開(kāi)關(guān)模塊,該模塊需要具備高耐壓和高電流承載能力。另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域是電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,該模塊需要具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特性。此外,該產(chǎn)品還可以應(yīng)用于電池充放電管理模塊和電源逆變器等領(lǐng)域。

總之,AOD603A(VBE5638)適用于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池充放電管理和電源逆變器等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中需要高耐壓、高電流承載和低導(dǎo)通電阻的模塊。

VBE5638.png (257.42 KB)

VBE5638.png

AOD603A MOSFET Datasheet.pdf

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