SI2333CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封裝P溝道MOS管應(yīng)用領(lǐng)域講解

VBsemi

SI2333CDS-T1-GE3 參數(shù)：P溝道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2333CDS-T1-GE3是一款適用于低電壓、高電流的P溝道MOSFET。
其低導(dǎo)通電阻和小封裝適合高效能、小型化的電路。
常用于電池供電設(shè)備、小型電子設(shè)備等。
優(yōu)勢(shì)：低導(dǎo)通電阻：有助于高效能電流開(kāi)關(guān)控制。
適用于低電壓：適用于低電壓操作，如電池供電設(shè)備。
適用模塊：SI2333CDS-T1-GE3適用于需要低電壓、高電流開(kāi)關(guān)控制的模塊，如電池供電的小型設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備等。