IRLL110TRPBF-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析

VBsemi

IRLL110TRPBF （VBJ1101M）
參數(shù)描述：
N溝道,100V,5A,RDS(ON),100mΩ@10V,120mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2~4Vth(V)；SOT223
型號(hào)參數(shù)介紹：
IRLL110TRPBF (VBJ1101M)參數(shù)說(shuō)明：N溝道，100V，5A，導(dǎo)通電阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓2~4V，封裝：SOT223。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：IRLL110TRPBF適用于低功率應(yīng)用，如信號(hào)開(kāi)關(guān)和電流控制。
其低導(dǎo)通電阻和低閾值電壓有助于降低功率損耗。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于低功率信號(hào)開(kāi)關(guān)、電流控制和模擬開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域模塊。