SI2301DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

VBsemi

SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)參數(shù)說(shuō)明:極性：P溝道；額定電壓：-20V；最大電流：-4A；導(dǎo)通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；門(mén)源電壓范圍：12Vgs (±V)閾值電壓：-0.81V；封裝：SOT23
應(yīng)用簡(jiǎn)介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。
其低導(dǎo)通電阻使其在電流控制電路中表現(xiàn)出色。
常用于電源開(kāi)關(guān)、電荷控制、功率放大等。
優(yōu)勢(shì)：低導(dǎo)通電阻：減少功耗，提高效率。
可靠性：VBsemi作為知名半導(dǎo)體品牌，產(chǎn)品經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量控制，具有高的可靠性。
適用封裝：SOT23封裝適合空間有限的設(shè)計(jì)。
適用模塊：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 適用于需要電流控制的模塊，如電源開(kāi)關(guān)模塊、電荷控制模塊等。