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來源：全球半導體觀察整理 據“AUTOSEMO”消息，11月30日，中汽創智首批自主研發的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結構，具有獨立自主的知識產權、自主設計的新型終端結構具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅逆變器等車載電源系統。 中汽創智表示，通過以SiC模塊為切入點，快速形成SiC功率模塊封裝、測試能力和基于SiC技術的車載集成電源系統開發能力，逐步建立起從上游芯片設計、模塊封裝，到下游應用支持的“一站式” 能力。 現場，中汽創智和積塔半導體進行了戰略合作簽約。中汽創智稱，此次與積塔半導體正式簽署戰略合作，進一步拉通了第三代半導體上下游資源，為中汽創智穩步實施虛擬IDM戰略，實現車規級芯片自主研發和制造奠定堅實基礎。 未來，中汽創智自主研發的1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等產品將陸續與積塔半導體進行深度合作。中汽創智與積塔半導體等汽車芯片產業鏈優質資源將始終堅持強強聯合、優勢互補，以追求、引領行業趨勢為發展方向，加速實現國產芯片的戰略目標。 資料顯示，中汽創智由中國一汽、東風公司、南方工業集團、長安汽車和南京江寧經開科技共同出資設立。 而積塔半導體在中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區和徐匯區建有兩個廠區，已建和在建產能共計28萬片/月（折合8英寸計算），其中6英寸7萬片/月、8英寸11萬片/月、12英寸5萬片/月、SiC 3萬片/月。 積塔半導體是國內較早具備SiC功率器件制造能力的企業，工藝技術平臺覆蓋JBS和MOSFET等，已建成自主知識產權的車規級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺、650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。 |
