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功率器件驅(qū)動(dòng)器是電力電子系統(tǒng)的低壓信號(hào)控制電路和高壓主電路之間的接口，是功率器件應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)與難點(diǎn)之一。功率器件中的晶體管和晶閘管在應(yīng)用中需要驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)信號(hào)才可運(yùn)行，功率器件驅(qū)動(dòng)器的通常作用是電氣隔離、信號(hào)傳輸與放大及功率器件的保護(hù)。 
由于IGBT具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點(diǎn)，在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在IGBT應(yīng)用中，除其本身的技術(shù)水平以外，另一個(gè)要考慮的重要因素是其驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)是否合理與可靠。IGBT驅(qū)動(dòng)器作為功率電路和控制器之間的接口電路，對(duì)系統(tǒng)的功耗和可靠性等方面有著極大的關(guān)聯(lián)，一個(gè)優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)器在功率變換系統(tǒng)中是不可或缺的，選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路就和變換器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。 驅(qū)動(dòng)器主要完成以下三個(gè)方面的功能，首先是驅(qū)動(dòng)功能，為IGBT開關(guān)提供足夠大的驅(qū)動(dòng)電流，保證IGBT能在其控制下可靠地開通和關(guān)斷;其次是驅(qū)動(dòng)器要具有保護(hù)功能，當(dāng)IGBT發(fā)生短路或者過(guò)流時(shí)，驅(qū)動(dòng)器能在較短的時(shí)間關(guān)斷IGBT，保護(hù)功率器件。另外，在高電壓、大功率的應(yīng)用場(chǎng)合，驅(qū)動(dòng)器作為控制電路與功率電路之間的連接橋梁，必須要具有電氣隔離的功能，保證控制電路不會(huì)受功率電路的干擾和影響。在滿足上述三種功能的前提下，驅(qū)動(dòng)器還要考慮靈活性、性能與價(jià)格之間的關(guān)系。 由于IGBT電流容量和電壓等級(jí)的不同，對(duì)其驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)要求也存在差異。在小功率應(yīng)用中，由于驅(qū)動(dòng)電流比較小，大多采用集成化的驅(qū)動(dòng)器，而在大功率、高電壓的應(yīng)用中，比如：大功率ups電源，高壓變頻器等，要求驅(qū)動(dòng)器提供更大的驅(qū)動(dòng)電流，更高的隔離電壓和更完善的保護(hù)功能。 IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?/font>,俗稱電力電子裝置的“CPU”,采用IGBT進(jìn)行功率變換,能夠提高用電效率和質(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn),是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù),被譽(yù)為綠色能源的“核芯”。 目前國(guó)內(nèi)的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線為主流；平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片，低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流。
由工采網(wǎng)代理的臺(tái)灣茂矽電子推出的IGBT晶圓 - MWGC075N120H1是一款1200V、75A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。 茂矽電子成立于1987年，晶圓制造長(zhǎng)期聚焦在功率半導(dǎo)體元件及電源管理IC領(lǐng)域，以MOS管、IGBT晶圓，模擬芯片、二極管等產(chǎn)品為主，打破國(guó)外壟斷現(xiàn)象。 在IGBT晶圓應(yīng)用領(lǐng)域，臺(tái)灣茂矽電子便是其中的佼佼者之一。了解更多關(guān)于臺(tái)灣茂矽電子IGBT晶圓的技術(shù)應(yīng)用，請(qǐng)聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號(hào))
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