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針對開關(guān)應(yīng)用中的低RDSon、低尖峰和高效率進行了優(yōu)化 Nexperia今日宣布，公司正在持續(xù)擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合，并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優(yōu)化，可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。 
許多MOSFET制造商在將其器件的開關(guān)性能與其他產(chǎn)品進行對比時，特別看重是否能通過低QG(tot)和低QGD實現(xiàn)高效率。然而，通過廣泛的研究，Nexperia發(fā)現(xiàn)Qrr同樣重要，因為它會影響尖峰表現(xiàn)，進而影響器件開關(guān)期間產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)量。通過專注于研究該參數(shù)，Nexperia大大降低了其NextPower 系列80/100 V MOSFET產(chǎn)生的尖峰水平，同時也降低了它們產(chǎn)生的EMI量。如果最終用戶的應(yīng)用在后期未通過電磁兼容性(EMC)測試，而需要重新設(shè)計時，這將降低添加額外外部組件所需的高昂成本，從而為最終用戶帶來顯著的益處。 與當(dāng)前可用的器件相比，這些新MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDSon)降幅高達31%。Nexperia還計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產(chǎn)品組合，再發(fā)布一款LFPAK88 MOSFET，在80 V下提供低至1.2 mΩ的RDS(on)，同時在產(chǎn)品組合中引入功率密集型CCPAK1212。為了進一步支持這些器件的設(shè)計導(dǎo)入和驗證，Nexperia屢獲殊榮的交互式數(shù)據(jù)手冊，為工程師提供了全面且用戶友好的器件行為分析。 要了解有關(guān)Nexperia NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的更多信息，請訪問： https://www.nexperia.com/nextpower-80-100V-MOSFETs |
