|
近日，三星電子在科技界引起了廣泛關注，其最新研發的BSPDN（Backside Power Delivery Network，背面供電網絡）技術展現出顯著的技術優勢與收益。三星電子負責晶圓代工PDK開發團隊的高級副總裁Lee Sun-Jae在西門子EDA論壇2024首爾場上詳細介紹了這一創新技術，并分享了其在提升芯片性能、減少尺寸及能效方面的卓越表現。 BSPDN技術作為三星電子在先進制程領域的重要突破，旨在通過改變傳統的前端供電網絡（FSPDN）布局，將供電網絡遷移至芯片背面，從而大幅優化芯片內部結構，解決布線堵塞問題，提升整體性能。據Lee Sun-Jae介紹，相較于傳統的2nm工藝采用FSPDN供電方式，采用BSPDN技術的SF2Z節點在多個方面展現出顯著優勢：芯片面積可減少約17%，能效提升約15%，性能增強約8%。 這一突破性成果得益于BSPDN技術在晶圓背面布局供電網絡的獨特設計。通過將供電網絡移至背面，不僅緩解了正面布線擁堵的問題，還使得芯片正面能夠更加專注于與晶體管的信號互連，從而提升信號傳輸效率。此外，BSPDN技術還支持更粗的電線和更低的電阻，從而能夠驅動更高的電流，進一步提高芯片性能或降低功耗。 三星電子的BSPDN技術不僅在技術上具有先進性，還展現出了顯著的市場潛力。隨著芯片制造工藝的不斷推進，傳統的FinFET技術在5nm以下制程工藝中已難以提供足夠的效益，尤其是在面對數據密集型高性能應用程序時。而BSPDN技術的出現，無疑為晶圓代工市場注入了新的活力，將推動半導體行業向更高效率、更低功耗、更高性能的方向發展。 據悉，三星電子已將BSPDN技術納入其先進的制程路線圖，計劃在未來幾年內逐步實現量產。初版2nm制程SF2定于2025年量產，而采用BSPDN技術的改進版SF2Z則將于2027年量產。對于SF2P節點，三星電子也計劃實現較SF2工藝12%的性能提升、25%的功耗降低以及8%的面積減少。 業內人士普遍認為，三星電子的BSPDN技術將成為未來半導體技術發展的重要方向之一。隨著臺積電、英特爾等晶圓制造大廠也紛紛布局背面供電技術，全球半導體行業正迎來一場新的技術革命。 |
