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近日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）在氧化鎵晶體生長領域取得了重大技術突破，成功生長出高質量的2英寸氧化鎵單晶。 據(jù)了解，鎵仁半導體此次的技術突破得益于其自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備，以及創(chuàng)新的垂直布里奇曼法（VB）晶體生長技術。傳統(tǒng)的氧化鎵晶體生長方法往往需要使用昂貴的銥坩堝，并且面臨高溫分解、坩堝腐蝕導致的晶體缺陷等難題。而鎵仁半導體采用的VB法則有效解決了這些問題，不僅無需使用銥坩堝，還能夠在空氣氣氛下生長單晶，有效抑制了氧化鎵的高溫分解，減少了晶體缺陷，提高了晶體質量。 此外，VB法還具有溫度梯度小、不需要控制晶體直徑等特點，使得晶體生長過程更加穩(wěn)定可控，降低了技術難度。同時，鎵仁半導體的晶體生長設備還支持多種不同晶面的單晶氧化鎵生產，具備從2英寸升級至4英寸單晶的能力，為未來的科研和產業(yè)化提供了廣闊的空間。 鎵仁半導體的這一技術突破，不僅打破了西方國家在氧化鎵設備和材料領域的技術封鎖，更為我國的半導體產業(yè)發(fā)展注入了新的活力。隨著5G通信、人工智能、電動汽車等產業(yè)的快速發(fā)展，市場對高性能半導體材料的需求日益增加。氧化鎵作為一種新興的寬禁帶半導體材料，因其優(yōu)異的電學性能和熱穩(wěn)定性，在電力電子、射頻器件等領域具有廣闊的應用前景。 |
