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杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）今日宣布，成功研發并發布了全球首顆第四代半導體氧化鎵（Ga₂O₃）8英寸單晶。這一里程碑式的成果標志著鎵仁半導體在半導體材料領域取得了重大突破，成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長技術的企業。 氧化鎵作為一種新型超寬禁帶半導體材料，以其優異的物理性質和廣泛的應用前景備受矚目。其禁帶寬度高達4.8-4.9eV，遠超碳化硅（3.25eV）和氮化鎵（3.4eV），具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。同時，氧化鎵的擊穿場強理論值可達8MV/cm，是氮化鎵的2.5倍、碳化硅的3倍有余，這使得氧化鎵在制備高性能功率器件方面具有得天獨厚的優勢。 鎵仁半導體此次發布的8英寸氧化鎵單晶，采用完全自主創新的鑄造法生長技術。該技術由浙江大學楊德仁院士團隊自主研發，具有成本低、效率高、晶體質量高等顯著優勢。通過該技術，鎵仁半導體成功實現了8英寸氧化鎵單晶的穩定生長，并可加工出相應尺寸的晶圓襯底，為氧化鎵材料的大規模產業化應用奠定了堅實基礎。 8英寸氧化鎵單晶的發布，對半導體產業具有深遠的意義。首先，8英寸氧化鎵單晶能夠與現有硅基芯片廠的8英寸產線兼容，這將顯著加快氧化鎵材料的產業化應用步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸的增大，將提高其利用率，降低生產成本，提升生產效率。此外，中國率先突破8英寸氧化鎵技術壁壘，不僅標志著我國在超寬禁帶半導體領域的技術進步，更為我國在全球半導體競爭中搶占了先機。 鎵仁半導體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料及設備研發、生產和銷售的科技型企業。公司依托浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室、浙江大學杭州國際科創中心等科研平臺，已形成一支以中科院院士為首席顧問的研發和生產團隊。此次8英寸氧化鎵單晶的成功發布，是鎵仁半導體技術創新能力的重要體現。 |
