IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管

Mingjiada

【明佳達，星際金華供應，回收】碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管：IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H。
【供應】只做原裝，庫存器件，價格方面由于浮動不一，請以當天詢問為準！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標簽，有庫存的朋友，歡迎隨時聯絡我們！



IMZA65R010M2H：650V，103A，10mΩ，CoolSiC™ MOSFET G2 晶體管，TO-247-4
型號：IMZA65R010M2H
封裝：TO-247-4
類型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管
IMZA65R010M2H - 產品規格：
產品種類：碳化硅MOSFET
安裝風格：通孔
封裝 / 箱體：TO-247-4
晶體管極性：N-通道
通道數量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續漏極電流：103A
Rds On-漏源導通電阻：10mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6V
Qg-柵極電荷：112 nC
最小工作溫度：- 55℃
最大工作溫度：+ 175℃
Pd-功率耗散：440W


IMZA65R026M2H：650V，64A，26mΩ，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管，超低開關損耗
型號：IMZA65R026M2H
封裝：TO-247-4
類型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管
IMZA65R026M2H - 產品規格：
產品種類：碳化硅MOSFET
安裝風格：通孔
封裝 / 箱體：TO-247-4
晶體管極性：N-通道
通道數量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續漏極電流：64A
Rds On-漏源導通電阻：26mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10V, + 25V
Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6V
Qg-柵極電荷：42nC
最小工作溫度：- 55℃
最大工作溫度：+ 175℃
Pd-功率耗散：227W


IMZA65R033M2H：650V，103A，33mΩ，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET G2 晶體管，TO-247-4
型號：IMZA65R033M2H
封裝：TO-247-4
類型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管
IMZA65R033M2H - 產品規格：
產品種類：碳化硅MOSFET
安裝風格：通孔
封裝 / 箱體：TO-247-4
晶體管極性：N-通道
通道數量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：650V
Id-連續漏極電流：103A
Rds On-漏源導通電阻：33mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6V
Qg-柵極電荷：34nC
最小工作溫度：- 55℃
最大工作溫度：+ 175℃
Pd-功率耗散：194W



【供求】碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶體管：IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H，明佳達電子，星際金華長期供應及回收原裝庫存器件，有興趣的朋友，歡迎隨時聯絡我們！