SmartFusion®2 SoC現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 可滿足對安全性、高可靠性和低功耗的高要求。M2S150S-1FCVG484I M2S150S-FCVG484I M2S150S-FCS536I M2S150S-1FCS536I M2S150S-FC1152I M2S150S-FCG1152I這些下一代FPGA對于工業(yè)、軍事、航空、通信和醫(yī)療應(yīng)用至關(guān)重要。它們集成了基于閃存的可靠FPGA結(jié)構(gòu)、166MHz Arm® Cortex®-M3微控制器子系統(tǒng)和高級安全處理加速器。單芯片具有高達240DSP塊、5Mbit嵌入式SRAM、經(jīng)過認證的PCIe Gen2端點、eNVM閃存和高性能通信接口。
SmartFusion2優(yōu)勢 在低密度器件中提供更多資源 • 帶嵌入式閃存的Arm® Cortex®-M3 • 在10K LE中支持PCIe® Gen2 • 綜合單片機子系統(tǒng) SmartFusion2 FPGA結(jié)構(gòu) SmartFusion2 SoC FPGA提供5K至150K LE且配備166 MHz Arm Cortex-M3處理器，包括ETM和指令高速緩存及片上eSRAM和 eNVM，以及帶有廣泛外設(shè)（包括CAN、TSE和USB）的完整單片機子系統(tǒng)。 • 最多16條收發(fā)器通道 • PCIe Gen2，XAUI/XGXS+，3.2G時為通用（EPCS）模式 • 最多150K LE，5 Mb SRAM，4 Mb eNVM • 667 Mbps DDR2/3硬控制器 • 集成DSP處理模塊 • 待機功耗低至7 mW（典型值） • 增強防DPA攻擊能力，AES256，SHA256，按需NVM數(shù)據(jù)完整性檢查 • SEU免疫的存儲器：eSRAM和DDR橋接器 優(yōu)勢一目了然 低功耗 SmartFusion2可降低總功耗 • 閃存FPGA提供最低功耗，同時不影響性能 • 每個5G SERDES （PCIe Gen2）的功耗為70 mW • Flash*Freeze超低功耗模式的功耗為12 mW 出色的可靠性 • 無錯誤的SEU免疫結(jié)構(gòu)配置 • 無需配置刷新 • 所有SoC存儲器具有SEU保護 • 內(nèi)置錯誤檢測和校正 • SEU免疫的實現(xiàn) • 器件部署在安全關(guān)鍵型和任務(wù)關(guān)鍵型系統(tǒng)中 久經(jīng)驗證的安全性 保護系統(tǒng)，防止過度制造和克隆 • HSM保護，防止過度制造 • DPA對策可保護位元流免遭克隆 • 具有經(jīng)驗證的DPA對策的唯一FPGA供應(yīng)商 • FPGA和處理器的安全引導 （明佳達）SmartFusion2 SoC FPGA： M2S050S-VF400I M2S050S-1VFG400I M2S050S-FCSG325I M2S050S-1FGG484I M2S100S-1FCVG484I M2S150S-1FCVG484I M2S150S-FCVG484I M2S150S-FCS536I M2S150S-1FCS536I M2S150S-FC1152I M2S150S-FCG1152I M2S005-1VQG144I M2S005-VQ144I M2S005-1VQ144I M2S010-1VQG144I M2S010-1VQ144I M2S010-FCSG325I M2S075-1FGG676I M2S075-1FG484I M2S100-FCV484I M2S150-FCVG484I 注：本文部分內(nèi)容與圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有。如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除！ |
