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近日，國際商業機器公司（IBM）與東京電子（Tokyo Electron Limited，簡稱TEL）共同宣布，雙方已續簽為期五年的先進半導體技術聯合研發協議。這一舉措旨在進一步推動半導體技術的創新發展，以滿足生成式人工智能時代對高性能和高效能芯片的需求。 根據協議，IBM與TEL將繼續深化在半導體領域的合作，專注于下一代半導體節點和架構的技術研發。雙方將結合IBM在半導體工藝集成方面的深厚專業知識和TEL在半導體設備制造領域的領先地位，共同探索更小節點和小芯片架構的技術突破。 IBM半導體總經理暨混合云部門副總裁Mukesh Khare表示：“IBM和TEL在過去二十多年的合作中，已經取得了多項突破性進展，有效推動了半導體技術的創新。我們很高興在這個關鍵時刻繼續攜手，加速芯片創新，以推動生成式AI時代的到來。” 東京電子總裁兼執行長河合利樹也對此次續簽表示高度贊賞：“IBM和東京電子通過多年的共同開發，建立了堅實的信任和創新關系。我們期待在未來的五年里，能夠繼續與IBM緊密合作，共同應對半導體技術領域的挑戰，推動行業進步。” 此次續簽協議還強調了雙方對推進半導體技術的共同承諾，包括采用高數值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）的圖案化制程。這一技術被認為是實現更先進制程節點的關鍵，將有助于提升芯片的性能和能效，滿足未來市場對高性能計算的需求。 值得一提的是，IBM與TEL都是Albany NanoTech Complex的成員，該綜合體是世界領先的半導體研究生態系統，由NY CREATES擁有和運營。多年來，IBM、TEL和其他公司一直在此合作構建最先進的公私半導體研究設施，以加速芯片創新。 此外，IBM與TEL的合作還得到了紐約州政府的大力支持。紐約州州長Kathy Hochul此前曾宣布，將與包括IBM、TEL在內的多家半導體大廠合作，投資100億美元在紐約州Albany NanoTech Complex興建下一代High-NA EUV半導體研發中心。這一舉措將進一步提升紐約州在半導體領域的研發實力，為IBM與TEL的合作提供更有力的支持。 |
