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國際半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會今日正式宣布，備受期待的高帶寬內(nèi)存（HBM）DRAM新標(biāo)準(zhǔn)——HBM4已正式發(fā)布。這一新標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，標(biāo)志著高帶寬內(nèi)存技術(shù)邁入了新的發(fā)展階段，將為需要高效處理大型數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計算的應(yīng)用程序提供更強有力的支持。 HBM4作為HBM系列的最新一代產(chǎn)品，在帶寬、容量、能效以及安全性等方面均實現(xiàn)了顯著提升。據(jù)JEDEC介紹，HBM4采用了2048-bit的接口寬度，傳輸速度高達8Gb/s，總帶寬可達驚人的2TB/s，相比上一代HBM3有了質(zhì)的飛躍。這一帶寬水平將極大地提升數(shù)據(jù)處理速率，滿足人工智能、高性能計算、高端顯卡和服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)?nèi)存帶寬的極高要求。 在容量方面，HBM4支持4層、8層、12層和16層DRAM堆棧配置，芯片容量為24Gb或32Gb，單個堆棧最大容量可達64GB。此外，HBM4還將每個堆棧的獨立通道數(shù)量增加了一倍，從HBM3時期的16個通道翻倍到32個通道，為設(shè)計人員提供了更大的靈活性和獨立的訪問多維數(shù)據(jù)集的方式。 能效方面，HBM4同樣表現(xiàn)出色。它支持供應(yīng)商特定的VDDQ（0.7V、0.75V、0.8V或0.9V）和VDDC（1.0V或1.05V）電平，有效降低了功耗并提高了能源效率。這對于追求綠色、可持續(xù)發(fā)展的現(xiàn)代社會來說，無疑是一個重要的進步。 安全性方面，HBM4也進行了全面升級。它結(jié)合了定向刷新管理（DRFM）功能，以改進行對row-hammer攻擊的緩解效果，并提升了整體的可靠性、可用性和可維護性（RAS）。這一功能的加入，將為數(shù)據(jù)的安全存儲和傳輸提供更有力的保障。 JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會表示，HBM4標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布對于推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展具有重要意義。它不僅將滿足市場對更高性能、更大容量、更低功耗內(nèi)存的需求，還將促進相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進步和應(yīng)用拓展。 隨著HBM4標(biāo)準(zhǔn)的正式發(fā)布，各大半導(dǎo)體廠商和OEM廠商將紛紛展開相關(guān)的研發(fā)和生產(chǎn)工作。預(yù)計未來幾年內(nèi)，HBM4將成為高端計算領(lǐng)域的主流內(nèi)存技術(shù)之一，為人工智能、大數(shù)據(jù)處理、云計算等前沿技術(shù)的發(fā)展提供強有力的支持。 JESD270-4規(guī)范官網(wǎng)下載：https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd270-4 |
