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晶圓是半導體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構建于晶圓之上，其質量直接決定芯片性能、功耗和可靠性，是摩爾定律持續推進的物質基礎。其中晶圓的厚度（THK）、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow） 是直接影響工藝穩定性和芯片良率的關鍵參數： 1、厚度（THK） 是工藝兼容性的基礎，需通過精密切割與研磨實現全局均勻性。 2、翹曲度（Warp） 反映晶圓整體應力分布，直接影響光刻和工藝穩定性，需通過退火優化和應力平衡技術控制。 3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對稱性缺陷，對多層堆疊和封裝尤為敏感，需在晶體生長和鍍膜工藝中嚴格調控。 在先進制程中，三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升和成本控制的核心參數。通過WD4000晶圓幾何形貌測量系統在線檢測，可減少其對芯片性能的影響。 
WD4000晶圓幾何量測系統適用于裸晶圓、圖案晶圓、鍵合晶圓、貼膜晶圓、超薄晶圓等復雜結構晶圓的量測應用。 （1）搭配中圖全自主研發的EFEM系統，可以適配loadport、smifport、carrier等多種形式，實現全自動上下料，實現在單系統內完成晶圓厚度、平坦度、粗糙度、膜厚等面型參數的高精度測量。 （2）系統覆蓋襯底切磨拋，光刻/蝕刻后翹曲度檢測，背面減薄厚度監測等關鍵工藝環節。
晶圓作為半導體工業的“地基”，其高純度、單晶結構和大尺寸等特點，支撐了芯片的高性能與低成本制造。其戰略價值不僅體現在技術壁壘和產業核心地位，更在于推動全球電子設備小型化、智能化及新興領域（如AI、自動駕駛）的發展。晶圓技術的持續創新，是半導體行業進步的核心驅動力之一。 |
