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SEMI報(bào)告:未來(lái)三年全球半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)劃在300mm晶圓廠(chǎng)設(shè)備上投資4000億美元

發(fā)布時(shí)間:2024-9-29 09:55    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 , 300mm , 晶圓
來(lái)源:SEMI中國(guó)

9月26日,SEMI發(fā)布《300mm晶圓廠(chǎng)2027年展望報(bào)告(300mm Fab Outlook Report to 2027)》指出,從2025年到2027年,全球300mm晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的4000億美元。強(qiáng)勁的支出是由半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)的區(qū)域化以及數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備對(duì)人工智能(AI)芯片日益增長(zhǎng)的需求推動(dòng)的。

2024年,全球300mm晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)4%,達(dá)到993億美元,到2025年將進(jìn)一步增長(zhǎng)24%,首次突破1000億美元,達(dá)到1232億美元。預(yù)計(jì)2026年支出將增長(zhǎng)11%,達(dá)到1362億美元,2027年將增長(zhǎng)3%,達(dá)到1408億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示:“2025年全球300mm晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出的預(yù)期增長(zhǎng)幅度為創(chuàng)紀(jì)錄的三年半導(dǎo)體制造投資奠定了基礎(chǔ)。全球芯片需求正在推動(dòng)設(shè)備支出,包括人工智能應(yīng)用的前沿技術(shù)和由汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的成熟技術(shù)。”



區(qū)域增長(zhǎng)

預(yù)計(jì)到2027年,中國(guó)將保持其作為全球300mm設(shè)備支出第一的地位,未來(lái)三年將投資超過(guò)1000億美元。然而,預(yù)計(jì)投資將從2024年的450億美元峰值逐漸減少到2027年的310億美元。

預(yù)計(jì)韓國(guó)將排名第二,未來(lái)三年將投資810億美元,以進(jìn)一步鞏固其在DRAM、HBM和3D NAND等存儲(chǔ)領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。預(yù)計(jì)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)未來(lái)三年將投資750億美元,位居第三,因?yàn)樵摰貐^(qū)的芯片制造商將在海外建造一些新的晶圓廠(chǎng),3納米以下是其投資的主要驅(qū)動(dòng)力。

從2025年到2027年,美洲地區(qū)預(yù)計(jì)投資630億美元,而日本、歐洲和中東以及東南亞預(yù)計(jì)將在三年內(nèi)分別投資320億美元、270億美元和130億美元。值得注意的是,由于旨在緩解對(duì)關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)擔(dān)憂(yōu)的政策激勵(lì)措施,預(yù)計(jì)2027年這些地區(qū)的設(shè)備投資將比2024年增加一倍以上。

領(lǐng)域增長(zhǎng)

2025年至2027年間,F(xiàn)oundry設(shè)備支出預(yù)計(jì)將達(dá)到約2300億美元,這得益于對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的投資以及對(duì)成熟節(jié)點(diǎn)的持續(xù)支出。對(duì)2nm工藝的投資和2nm關(guān)鍵技術(shù)的開(kāi)發(fā),如全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管結(jié)構(gòu)和背面功率傳輸技術(shù),對(duì)于滿(mǎn)足未來(lái)高性能和節(jié)能計(jì)算需求至關(guān)重要,特別是對(duì)于人工智能應(yīng)用。由于對(duì)汽車(chē)電子和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求不斷增加,在成本效益高的22nm和28nm工藝上有望實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。

Logic和Micro領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在未來(lái)三年率先擴(kuò)大設(shè)備支出,預(yù)計(jì)總投資為1730億美元。Memory位居第二,預(yù)計(jì)同期將貢獻(xiàn)超過(guò)1200億美元的支出,標(biāo)志著另一個(gè)細(xì)分市場(chǎng)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始。在Memory領(lǐng)域,DRAM相關(guān)設(shè)備的投資預(yù)計(jì)將超過(guò)750億美元,而3D NAND的投資預(yù)計(jì)達(dá)到450億美元。

Power相關(guān)領(lǐng)域排名第三,預(yù)計(jì)未來(lái)三年投資將超過(guò)300億美元,其中化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目投資約140億美元。同期,模擬和混合信號(hào)領(lǐng)域預(yù)計(jì)將達(dá)到230億美元,其次是光電/傳感器,為128億美元。

作為SEMI Fab Forecast數(shù)據(jù)庫(kù)的一部分,SEMI《300mm晶圓廠(chǎng)2027年展望報(bào)告》列出了全球420座設(shè)施和生產(chǎn)線(xiàn),其中包括預(yù)計(jì)高概率將在2024年開(kāi)始的未來(lái)四年內(nèi)開(kāi)始運(yùn)營(yíng)的79座設(shè)施。該報(bào)告反映了自上次2024年6月發(fā)布以來(lái)的169次更新和9個(gè)新的晶圓廠(chǎng)/生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目。
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