采用TSOP-6封裝、搭載最新低壓HEXFET的功率MOSFET（IR）

發布時間：2012-4-24 10:52 發布者：eechina

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。

全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導損耗。新產品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。

所有新器件均達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。

產品規格

器件編號 (- TRPbF)	BVDSS	VGS 最大值	25ºC 時的最大Id	典型/最大導通電阻(mΩ)
器件編號 (- TRPbF)	BVDSS	VGS 最大值	25ºC 時的最大Id	10V	4.5V	2.5V
IRFTS9342	-30V	20V	5.9A	31/39	53/66	NA
IRLTS2242	-20V	12V	6.9A	N/A	26/32	45/55
IRLTS6342	30V	12V	7.8A	N/A	12/20	15/24
IRFTS8342	30V	20V	8.2A	15/19	22/29	N/A

新器件正接受批量訂單。相關數據及MOSFET產品選型工具，請瀏覽IR的網站www.irf.com。

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