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Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

發布時間：2012-10-22 13:58    發布者：eechina
關鍵詞： 功率MOSFET
新的E系列器件具有低至39mΩ的導通電阻和7A～73A電流，采用的超級結技術可實現低FOM和高功率密度，具有8種封裝

Vishay宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級結技術，使公司進入使用功率轉換技術的增量市場，包括照明、適配器和高功率可再生能源系統。

今天發布的器件使600V E系列MOSFET的器件數量增加到27個。所有的E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷，可實現極低的傳導損耗和開關損耗，從而在功率因數校正、服務器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體生產設備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關應用中節約能源。



器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖，保證通過100% UIS測試時達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。

器件規格表：
  型號  
VBRDSS  (V)
ID  @ 25 oC (A)
RDS(ON)  max. @ Vgs = 10 V (mΩ)
Qg  typ @   Vgs  = 10V  (nC)
封裝
SiHP7N60E
600
7
600
20
TO-220
SiHF7N60E
600
7
600
20
TO-220  FullPAK
SiHD7N60E
600
7
600
20
DPAK/TO-252
SiHU7N60E
600
7
600
20
IPAK/TO-251
SiHP12N60E
600
12
380
29
TO-220
SiHF12N60E
600
12
380
29
TO-220 FullPAK
SiHB12N60E
600
12
380
29
D2PAK/TO-263
SiHP15N60E
600
15
280
38
TO-220
SiHF15N60E
600
15
280
38
TO-220  FullPAK
SiHB15N60E
600
15
280
38
D2PAK/TO-263
SiHP22N60E
600
22
180
57
TO-220
SiHB22N60E
600
22
180
57
D2PAK/TO-263
SiHF22N60E
600
22
180
57
TO-220  FullPAK
SiHG22N60E
600
22
180
57
TO-247AC
SiHP30N60E
600
30
125
85
TO-220
SiHB30N60E
600
30
125
85
D2PAK/TO-263
SiHF30N60E
600
30
125
85
TO-220  FullPAK
SiHG30N60E
600
30
125
85
TO-247AC
SiHW30N60E
600
30
125
85
TO-247AD
SiHB33N60E
600
33
99
100
D2PAK/TO-263
SiHP33N60E
600
33
99
100
TO-220
SiHG33N60E
600
33
99
100
TO-247AC
SiHW33N60E
600
33
99
100
TO-247AD
SiHG47N60E
600
47
99
147
TO-247AC
SiHW47N60E
600
47
64
147
TO-247AD
SiHG73N60E
600
73
64
241
TO-247AC
SiHW73N60E
600
73
39
241
TO-247AD


*備注：粗體的器件是E系列的新增型號。

這些新款功率MOSFET現可提供樣品，量產訂貨的供貨周期為十六周到十八周。


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