|
16Mb快速異步SRAM 具有業界最低的軟錯誤率 賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼（ECC）的16Mb快速異步SRAM 已開始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準的數據可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設計并節省電路板空間。該器件可確保工業、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費電子和汽車等應用領域里的數據安全。 
背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內容，丟失重要數據。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執行所有錯誤校正動作，無需用戶干預，因而具有業界最佳的軟錯誤（SER）性能。 16Mb快速異步SRAM的存取時間可達到10-ns，而且與目前的異步SRAM管腳兼容，客戶不必更改電路板設計即可提高系統可靠性。 賽普拉斯還推出了一款新的快速異步SRAM，其PowerSnooze™功能結合了快速異步SRAM10-ns的存取時間和與MoBL系列相當的超低待機功耗。PowerSnooze是一種額外的深度睡眠節能模式，對于16Mb的SRAM來說，其典型深睡眠電流可低至12 uA。具有PowerSnooze功能的16Mb快速SRAM也可提供片上ECC功能。
賽普拉斯異步SRAM事業部高級總監Sunil Thamaran說：“賽普拉斯是世界上無可爭議的異步SRAM領導者，擁有超過30年的開發經驗和業界最寬的產品線。我們具有ECC功能的新型16Mb 異步SRAM是可靠的單片存儲解決方案，可用于高速和低功耗應用。我們具有ECC功能的SRAM品種還會增加。” 賽普拉斯的16Mb異步SRAM具有業界標準的x8, x16 和 x32配置。器件具有多種工作電壓（1.8V， 3V和5V），工作溫度范圍為-40◦C 至 +85◦C（工業級）和-40◦C 至 +125◦C（汽車級）。 供貨情況 全新16Mb快速SRAM 和具有PowerSnooze 功能的16Mb 快速SRAM目前已有樣片，預計2014年7月份量產。這些器件以符合RoHS標準的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA 和54-pin TSOP II方式封裝。 |
