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新款SuperFlash存儲器工作電壓范圍低至1.65-1.95V Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）發布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件，擴展其1.8V Serial Quad I/O（SQI）SuperFlash系列存儲器。新器件備有4 Mb和8 Mb兩種存儲容量，采用Microchip高性能SuperFlash技術制造，可提供業界最快的擦除時間和卓越的可靠性。 
欲了解有關Microchip SST26WF080B/040B器件的更多信息，請訪問http://www.microchip.com/SST26WF080B-040B-Page-011915a。 由于采用了SuperFlash技術，SST26WF080B/040B新器件的擦除速度比其他同類器件都要快。扇區和塊擦除命令在短短18毫秒內即可完成，執行整個芯片的擦除操作也只需要35毫秒；而同類器件一般需要5-15秒的時間來完成整個芯片的擦除操作。顯然，SST26WF080B/040B的擦除速度要快300倍左右。由于最大限度地減少了測試和固件更新所需的時間，新器件極其快速的擦除性能可為客戶顯著節約成本并大幅提高產能。 新器件的SQI接口是一個104 MHz的高速四I/O串行接口，即使是低引腳數封裝也可實現高數據吞吐量。該接口支持低延遲就地執行（execute-in-place，XIP）功能，使得程序可以直接在閃存內存儲和執行而無需在RAM器件上進行代碼映射。與x16并行閃存器件相比，SST26WF080B/040B的數據吞吐速度更快，又不存在并行閃存有關的高成本和高引腳數。此外，該SQI接口還提供完整的命令集，可向后兼容傳統的串行外設接口（SPI）協議。 SST26WF080B/040B專為低功耗設計，有助于最大限度地延長便攜式供電應用中電池的壽命。新器件在待機模式下的典型電流消耗僅為10 µA，而深度掉電模式下的典型電流消耗更進一步降至1.8 µA。104 MHz時其典型主動讀取電流為15 mA。1.8V低功耗操作與小尺寸封裝相結合，無疑令SST26WF080B/040B成為諸如手機、藍牙耳機、GPS、攝像頭模塊、助聽器和其他電池供電設備等各種應用的最佳選擇。 SST26WF080B/040B擁有卓越的品質和可靠性，數據保存時間長達100年，且可擦/寫次數超過10萬次，耐用性極高。此外，其安全性也得到進一步增強，包括針對各獨立塊的軟件寫保護以便靈活保護數據/代碼安全以及一個一次性可編程（OTP）的2 KB安全ID區域。這些特性有助防止未經授權的訪問以及其他惡意讀取、編程和擦除的企圖。同時，該器件還具有一個符合JEDEC標準的串行閃存可發現參數（SFDP）表，其中包含了有關SST26WF080B/040B功能和性能的標識信息，從而簡化軟件設計。 Microchip存儲產品部副總裁Randy Drwinga表示：“我們1.8V低功耗Serial Quad I/O產品線新增的SST26WF080B/040B SuperFlash器件為客戶帶來了業界擦除速度最快的高速閃存這一出眾的解決方案。憑借小尺寸和低功耗的特性，新器件可謂是包括物聯網應用在內的新一代采用電池供電的便攜嵌入式設計的理想選擇。” 供貨 SST26WF080B/040B器件采用8觸點6 mm x 5 mm WSON封裝、8引腳150 mil SOIC封裝、8觸點2 mm x 3 mm USON封裝以及8球Z-Scale XFBGA封裝，現已開始提供樣片并投入量產，以10,000片起批量供應。 欲了解更多信息，請聯系Microchip銷售代表或全球授權分銷商，也可以瀏覽Microchip網站http://www.microchip.com/SST26WF080B-040B-Page-011915a。欲購買文中提及的產品，可通過microchipDIRECT網站購買，或聯系Microchip任何授權分銷伙伴。 |
