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該款4Mb SRAM比沒有ECC功能的SRAM可靠性高一千倍，并有助于延長手持式設備的電池續航時間 賽普拉斯半導體公司日前宣布，其具有錯誤校正碼（ECC）的4Mb異步SRAM正在出樣。這些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的數據可靠性，而無需額外的錯誤校正芯片，從而簡化了設計，并縮小了電路板尺寸。該器件可在工業、軍事、通訊、數據處理、醫療、消費及汽車等應用中確保數據的可靠性。 
由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內容，造成重要數據的遺失。賽普拉斯新型異步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業界最佳的小于0.1 FIT/Mb的軟錯誤率（SER）性能（一個FIT等于器件每工作十億小時發生一次錯誤）。這些新款器件與現有的快速異步和低功耗SRAM管腳兼容，客戶無需改變電路板設計，即可提高系統的可靠性。這些4Mb SRAM還有可選的錯誤指示信號，可指示單比特錯誤的校正。 賽普拉斯異步SRAM業務部高級總監Sunil Thamaran說：“去年我們推出了首款具有片上ECC功能的16Mb異步SRAM，客戶反響強烈。增加一款不同容量的產品，可使片上ECC技術造福于更多的應用。賽普拉斯一直致力于開發新的SRAM技術，為客戶更好地服務，同時鞏固我們在市場中不可撼動的領導地位。” 賽普拉斯4Mb異步SRAM有三款可選——快速4Mb SRAM、MoBL（更長電池壽命）4Mb SRAM、帶PowerSnooze™功能的快速4Mb SRAM（附加深度睡眠節能模式，該模式下最大電流僅為15 uA）。每款均為業界標準的x8或x16配置。這些器件可在多種電壓下工作（1.8V、3V和5V），溫度范圍是-40°C 到 +85°C（工業級）和-40°C 到 +125°C（汽車E級）。 供貨情況 這些新款SRAM的工業級溫度范圍產品目前正在出樣，預計2015年7月量產。封裝方式為符合RoHS標準的32-pin SOIC、32-pin TSOP II、36-pin SOJ、44-pin SOJ、44-pin TSOP II 以及 48-ball VFBGA。 |
