Diodes推出DFN2020封裝的P通道MOSFET，降低負載開關損耗

發布時間：2015-12-16 14:02 發布者：eechina

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產品適用于追求高效電池管理的平板電腦、智能手機、超極本等便攜式消費性電子產品的負載開關，以及物聯網的應用。

兩款MOSFET在低柵極驅動情況下提供低導通電阻，有效滿足那些希望用簡易的方法關閉低壓電源軌的電路設計人員。這還確保低至1.5V的電源軌能夠以最低通損耗進行開關。DMP1022UFDF在-2.5V柵極驅動下的導通電阻少于20mΩ；DMP2021UFDF在-1.8V柵極驅動下的導通電阻則少于26mΩ。以MOSFET作為高側負載開關來關斷閑置處理器核心和其它非活躍電路，能有效延長電池壽命。

新產品采用了占位面積僅4mm2的小型DFN2020封裝，離板高度只有0.6mm，同樣非常適合對空間要求嚴格的應用。這款封裝還具有帶散熱漏極焊盤，其低于10°C/W的結點至焊盤熱阻提供散熱功能，從而降低裸片溫度并提升器件可靠性。

DMP1022UFDF及DMP2021UFDF各以一萬個為出貨批量。如欲了解進一步產品信息，請訪問www.diodes.com。

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