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以高速運算改善網絡裝置效能的非揮發性內存 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，成功開發具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速QSPI接口的全新FRAM（鐵電隨機存取內存）產品MB85RQ4ML，此產品在同類競品中擁有最高密度和最快傳輸速度，并開始以樣品量供貨。由于其兼顧高速傳輸和FRAM的特性，因此特別適用于網絡建置、RAID控制器及工業運算等領域。 為滿足市場對FRAM接口速度提升的迫切需求，富士通目前已成功開發MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在FRAM產品線中擁有最高數據傳輸速度（圖一）。 
圖一：采用16針腳SOP的MB85RQ4ML 此產品采用單一1.8V電源供應器QSPI接口，能以108 MHz運作頻率達到每秒54 MB的數據傳輸速度。富士通以往的產品中，采用44針TSOP封裝且擁有16-bit并行接口的4Mbit FRAM傳輸速度最快，為每秒13 MB。而此全新產品的數據讀寫速度領先前者將近四倍之高，且所用引腳數更少（圖三）。
圖二：數據傳輸率比較 其定位介于數據儲存用的高容量非揮發性內存與高速作業內存之間，并以高速存取及數據備份支持數據寫入，例如必須持續寫入設定數據的網絡設備，像路由器等（圖三）。
圖三：內存于網絡裝置的使用案例 仰賴海量數據處理能力的物聯網市場，隨著數據處理量不斷增加，內存亦必須頻繁地執行數據改寫；此外，從安全觀點來看，保留存取記錄也將更受到重視。有鑒于此，此產品能透過保留網絡領域中存取信息而促進設備效能的改善。因此，富士通充分運用FRAM的非揮發性、高速讀寫周期、高讀寫耐用度及低功耗特性，為穿戴式市場及物聯網市場帶來使用FRAM的解決方案，為客戶帶來更具價值且更加便利的應用。 產品規格 組件料號：MB85RQ4ML 內存密度（組態）：4Mbit（512K字符x 8位） 界面：SPI/Quad SPI 運作電壓：1.7 – 1.95伏特 保證讀/寫周期：10兆次 數據保留：10年（85度時） |
