低導通電阻的大罐式DirectFET封裝MOSFET（IR）

發布時間：2009-8-10 23:27 發布者：admin

國際整流器公司推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on))，并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。
此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現了改善的安全工作區（SOA）能力。該器件采用無鉛設計，并符合RoHS標準。
IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用，并且在各自的PCB尺寸內提供業界最佳的通態電阻。

產品的基本規格：
器件編號典型RDS(on) @10V (mΩs) 典型RDS(on) @4.5V (mΩs) VGS (V) ID @ TA=25ºC (A) 封裝面積 (mm x mm) 典型RDS(on)
@10V x 面積
(mΩ x mm2)
IRF6718 0.5 1.0 +/-20 61 7 x 9.1 31.9
IRF6717 0.95 1.6 +/-20 38 4.9 x 6.3 29.3
IRF6713 2.2 3.5 +/-20 22 3.8 x 4.8 40.1
上述器件的數據及應用說明已在IR的網站www.irf.com提供。
IR已開始接受量產訂單。

本文地址：http://www.qingdxww.cn/thread-2345-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。