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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的6.6kW電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器解決方案

發(fā)布時(shí)間:2022-5-5 16:23    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: FAN7191MX , 車(chē)載充電
大聯(lián)大旗下世平推出基于安森美(onsemi)FAN7191MX-F085 Gate Driver的6.6kW電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器解決方案(OBC)。




圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的6.6kW電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器解決方案的展示板圖

近年來(lái),全球新能源行業(yè)的關(guān)注度持續(xù)提升,隨著越來(lái)越多的國(guó)家將“碳中和”作為重要發(fā)展目標(biāo),電動(dòng)汽車(chē)及其上下游產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了快速上升期。其中,OBC(電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器)作為電動(dòng)汽車(chē)的核心部件,正伴隨著新能源技術(shù)的蓬勃發(fā)展,不斷向著大功率、高效率的方向迭代創(chuàng)新。一方面,OBC模塊可將電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為汽車(chē)提供充電需求。另一方面,由于電動(dòng)汽車(chē)的逐漸普及,汽車(chē)OBC模塊也可作為儲(chǔ)能電池,為其他電氣設(shè)備提供供電需求。順應(yīng)這一趨勢(shì),大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品推出了6.6kW汽車(chē)OBC方案,具有高電流和低輸出壓降特性,可為新能源汽車(chē)用戶(hù)提供高效、安全的充、放電體驗(yàn)。


圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的6.6kW電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器解決方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖

此6.6kW OBC方案由n溝道功率MOSFET superet III NVHL025N65S3、單片高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)IC FAN7191_F085,高速端高開(kāi)關(guān)性能SiC MOSFET NVHL060N090SC1、獨(dú)立的高電流和高效率IGBT驅(qū)動(dòng)器NCV57000DWR2G組成。其中,F(xiàn)AN7191_F085是單片高端和低端柵極驅(qū)動(dòng)IC,可以驅(qū)動(dòng)工作電壓最高達(dá)+600V 的高速M(fèi)OSFET和IGBT。它具有緩沖輸出級(jí),且所有NMOS晶體管設(shè)計(jì)具有高脈沖電流驅(qū)動(dòng)能力和最低交疊導(dǎo)通能力。借助onsemi的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可以保證高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高dv/dt噪聲環(huán)境下穩(wěn)定工作。并且內(nèi)置的先進(jìn)電平轉(zhuǎn)換電路可使高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的工作偏置電壓達(dá)到VS = -9.8V(VBS = 15V時(shí)的典型值)。


圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的6.6kW電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器解決方案的方塊圖

利用這些高性能器件和圖騰柱拓?fù)洌墒瓜到y(tǒng)效率達(dá)到97%(典型值),并且在電路中還提供了OCP和OVP硬件保護(hù),進(jìn)一步保證了系統(tǒng)的高可靠性。除此之外,該方案的板載輔助電源系統(tǒng)可為板載和控制板各電路提供電源,而無(wú)需外部直流電源。同時(shí)方案還能提供靈活的控制接口,以適應(yīng)不同的控制板。

核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):
        浮動(dòng)通道可實(shí)現(xiàn)高達(dá)+600V的自舉運(yùn)行;
        4.5A/4.5A源電流/灌電流驅(qū)動(dòng)能力;
        共模dv/dt噪聲消除電路;
        兩個(gè)通道均內(nèi)置欠壓閉鎖功能;
        適用于兩個(gè)通道的匹配傳播延遲;
        兼容3.3V和5V邏輯輸入電平;
        輸出與輸入同相;
        符合AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)。

方案規(guī)格:
        輸入電壓:90 − 264Vac;
        輸出功率:6.6kW;
        拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):3CH Interleave Totem Pole;
        I/O Isolation:無(wú)。

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