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日本會成為2nm第四極嗎?

發(fā)布時間:2022-12-7 15:08    發(fā)布者:eechina
關鍵詞: 日本 , 2nm
來源:愛集微

在2nm先進工藝項目籌劃近一年之后,日前豐田汽車、索尼、日本電信電話、日本電氣、日本電裝、軟銀、鎧俠和三菱日聯(lián)銀行8家日企聯(lián)合投資,每家出資10億日元成立了名為Rapidus的新公司,目標是在2025年至2030年間開始生產“超越2納米”的高端芯片,2027年量產。

在經歷了慘痛的“失落的三十年”后,這家傾力集結的日本制造“夢之隊”能助推日本追回昔日的榮光嗎?

日本的“野望”

在全球疫情、缺芯、產業(yè)變革以及地緣博弈的沖擊之下,各國力促半導體制造業(yè)回流、構建自主產業(yè)鏈的做法已儼然成為新的“較量場”。

無論是美國出臺的《芯片法案》以及臺積電、三星及一眾美系廠商的制造狂潮,還是歐盟敲定450億歐元芯片法案,旨在將在全球芯片生產的份額從目前的10%增加到20%的遠大目標,曾經在半導體領域輝煌又逐漸沒落、在設備和材料領域依舊保持強大競爭力的日本半導體業(yè)自然不甘只做旁觀者。

去年以來,日本為重振昔日輝煌的半導體業(yè)采取了諸多舉措:如去年6月出臺“半導體·數(shù)字產業(yè)戰(zhàn)略”;今年4月以來通過提供補助等方式積極促進臺積電、西部數(shù)據(jù)等海外半導體企業(yè)赴日,與日本企業(yè)合作辦廠;今年5月日本國會通過了旨在加強供應鏈的經濟安全促進法等。而Rapidus的成立為日本在半導體制高點先進工藝層面的破局添上了重彩。

加之美國對中國半導體業(yè)圍追堵截的招數(shù)也在全方位“升級”,在亞太地區(qū)搞半導體產業(yè)“小圈子”、建立Chip 4等等不一而足,日本顯然也是Chip4聯(lián)盟的重要旗手,補足日本的“短板”提升其“戰(zhàn)斗力”或才能打好代理戰(zhàn)爭。

行業(yè)人士分析說,從日本實力來看,雖然在設備、材料以及功率器件、MCU領域占有一定優(yōu)勢,但在制造環(huán)節(jié)已遠為落后,節(jié)點集中于40nm以上。在已經錯失PC、通信、智能手機、新能源汽車等時代列車之后,面向未來的數(shù)字化競爭,要在數(shù)據(jù)中心、自動駕駛、新一代通信標準“6G”和元宇宙領域贏得競爭,日本也必然要重塑產業(yè)鏈,攻克先進工藝難關,這才能持續(xù)保持在材料、設備領域的優(yōu)勢,并促進未來的增長。

如果說之前提供臺積電4760 億日元(約合 240 億人民幣)的補貼吸引臺積電在日本九州熊本縣設立28nm晶圓廠,從而在成熟制程“加分”之外,那么在先進工藝的布局顯然亦是箭在弦上。

熟悉的“配方”

如果說技術有強烈的路徑依賴性,那不得不說,日本的這一財閥體制、官產學研合作的運作體系看起來更是熟悉的配方。

想當初,日本政府出資320億日元,日立、NEC、富士通、三菱、東芝五家企業(yè)聯(lián)合出資400億日元總計投入720億日元組成研發(fā)聯(lián)盟,實施“超大規(guī)模集成電路(VLSI)技術研究計劃”,在DRAM領域大殺四方,并在設計、設備、工藝層面實現(xiàn)了突破。

但失敗的案例也不鮮見。

日本在2000年至2010年代啟動的尖端開發(fā)計劃大多沒有取得成果;2006年,出現(xiàn)了由東芝、日立、瑞薩成立代工企業(yè)的構想,日本政府也起了推動作用。不過,各企業(yè)步調不一致,半年就宣告失敗了。

這些揮之不去的“歷史”無疑都進一步暴露了日本深層次的問題。正如西村吉雄的《日本電子產業(yè)興衰錄》指出,日本在產業(yè)政策、財團體制、商業(yè)模式變革、技術路線選擇、經營策略上都出了一些暈招、亂招,因而錯失了GPU為主導的計算機時代,站錯了隊失去了通信的話語權,甚而在移動互聯(lián)時代淪為配角。

而此次日本欲借Rapidus重振其半導體制造領先地位,憑什么又認定這一換湯不換藥的做法能煥發(fā)“新生”呢?

誠然,Rapidus各大主角“光環(huán)”耀眼,充分體現(xiàn)了日本半導體產業(yè)鏈的優(yōu)勢,如尼康、佳能仍占有全球光刻機市場近40%的份額,幾乎壟斷硅片、光刻膠等原料市場,日本還研發(fā)出無需光刻機的NIL工藝且突破至10nm。

目前日本仍為全球提供超過50%的重要半導體材料和40%以上的半導體設備,手握設備與材料兩大“王牌”,日本仍得以在全球半導體市場保有其先進的底色。

此外,鎧俠的優(yōu)勢在存儲器領域,索尼將在圖像傳感器方面發(fā)揮優(yōu)勢,軟銀等則可以提供資金支持等。而且,日本政府已宣布將向該公司提供700億日元(約合35億元人民幣)補貼,以資助其芯片開發(fā)及生產。

看起來好似“只欠東風”,但要在2nm工藝“后來居上”,日本面臨的難關其實遠超想象。

重重的“難關”

畢竟,從目前的40nm大躍進至2nm,可想而知難度之大,不僅要投入巨額的資金,還要跨越CMOS工藝到FinFET工藝再進而至GAA三座大山,單靠日本自身顯然是Mission impossible。日本媒體甚至譏諷說,雖然一個天才少年是有可能從初中直接跳到一流大學,但半導體卻不可能從45nm直接跳到2nm,一口氣跳九代。

對此集微咨詢表示,日本開發(fā)2nm主要的挑戰(zhàn)來自于資金和技術方面。資金方面要看投資的力度,但主要還是技術方面的缺口,需要美國方面給予支持。

在資金方面,Rapidus預測,在量產前需要5萬億日元規(guī)模的資金,相較于目前700億日元的投入,仍有巨大的缺口待“補”。

或許正是意識到自身存在的若干技術短板一時難以彌補,在Rapidus宣布成立的同日,日本經濟產業(yè)省還宣布與美國NSTC等海外相關機構合作成立先進半導體研發(fā)中心LSTC,打造集國研、大學、產業(yè)界為一體的下一代半導體量產技術研究開發(fā)據(jù)點,并已為此撥出大約3500億日元的財政預算。

但種種難關依舊在橫亙。以賽亞調研(Isaiah Research)認為美、日要合作開發(fā)2nm制程,找資源跟資金都不是難事,但在研發(fā)層面目前僅有臺積電、英特爾、三星是比較有經驗的,且這三大巨頭也都需要一段時間提升學習曲線。

要指出的是,美、日合作已將臺積電排除在外,而由于日韓之前的歷史淵源,最大的合作方可能還要仰賴美國,包括英特爾、IBM。但以賽亞調研提到,假使美、日2nm的工藝發(fā)展沒有來自上述三家巨頭的研發(fā)能力支持,即便可以找到一些研究機構進行先進制程研發(fā),后續(xù)的量產能力仍需要時間觀察。

量產的“關”看起來更為難越。業(yè)內人士指出,日本的Fab廠主攻強項多在Memory,并非邏輯IC,日本扮演的角色從材料端還須搭配一線設備廠、建立產線共同做研發(fā)創(chuàng)新才有機會。同時,還面臨人才持續(xù)供給的挑戰(zhàn)。日本或許可以做Sample,但“量產”絕對是最大挑戰(zhàn),量產的經驗值對良率的影響可謂重中之重,Sample可以發(fā)揮創(chuàng)意但制造是很殘忍的落實承諾,研發(fā)與制造之間的拉扯從來不會少,日本短期并沒有實現(xiàn)量產的執(zhí)行能力。

集微咨詢總結,日本的先進工藝之路仍取決于美國的支持力度以及自身開發(fā)的進度,現(xiàn)在展望為時尚早。

另一重“隱憂”

而美日的重啟合作,對于了解日本半導體業(yè)史的人來說,難免產生新的擔憂。對日本來說,上世紀80至90年代的“日美半導體摩擦”,確實是日本半導體業(yè)告別“輝煌”的起因。

想當年日本在半導體領域呼風喚雨的時刻,一方面得益于美國的大力扶持,另一方面也是官產學體系、財團體制,加上眾多振興臨時措施法支持,從而走上了巔峰之路。

但日本產業(yè)的大幅崛起開始讓美國深感“芒刺在背”,其后揮舞組合拳,相繼祭出廣場協(xié)議、和反傾銷訴訟等對日本半導體產業(yè)實施全面制裁。同時還兵分兩路,大力扶持韓國的發(fā)展,后續(xù)也加強對我國臺灣輸入資金和技術,并在關稅和政策上偏心照顧,加上日本在產業(yè)政策、技術路線和經營策略上的失誤,日本的電子基本盤遭受沉重打擊,日本IC產業(yè)不復昔日榮光。

如今日本在全球半導體市場所占份額已經降至10%左右。此次世易時移,日美又再次握手言和,會一掃前恥還是重蹈覆轍?

站在美國的“算盤”出發(fā),可謂是既要又要還要。半導體行業(yè)專家分析,對于美日合作2nm,美國的出發(fā)點應有兩大方面:一是不能依賴他人要迅速增強自己,而與日本合作是一條途徑,因為日本的研發(fā)水平高且在設備、材料方面具有優(yōu)勢;二是避免風險,目前美先進工藝代工太依靠臺積電,可能會出現(xiàn)無法控制的風險,美一方面是大力促進英特爾的IDM2.0戰(zhàn)略推進,另一方面恩威并施,讓臺積電、三星在美建芯片廠,以在先進制程領域掌握自主可控的實力。

更要看到的是,美將日本拉入其芯片“小圈子”中的“居心”將要日本與美國打壓中國半導體的政策步伐一致。有預測說,根據(jù)美國當前規(guī)定,預計將使用大量美國技術的Rapidus或無法進入中國市場,而失去這一巨大市場可能會進一步拖累Rapidus的前景。

Rapidus在拉丁文是“快速”的意思,但對于日本來說2nm工藝量產或仍是“漫漫征途”。
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