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12月19日，日本先進邏輯半導體制造商Rapidus宣布，其購入的首臺ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻機已在位于北海道千歲市的IIM - 1晶圓廠完成交付并啟動安裝。這一事件標志著日本首次引入用于大規模生產尖端半導體的EUV（極紫外）光刻系統。 在交付安裝當天，眾多重要人物出席了在北海道新千歲機場舉行的紀念儀式，包括Rapidus首席執行官、日本政府代表、北海道及千歲市地方政府代表、ASML高管以及荷蘭駐日本大使等。 Rapidus總裁兼首席執行官表示：“我們非常高興能夠迎來這一里程碑式的時刻。通過引入ASML最先進的EUV技術，我們將為客戶提供更高性能、更小尺寸的半導體解決方案，同時也為日本半導體產業注入新的活力。” 據悉，ASML TWINSCAN NXE:3800E是ASML EXE系列0.33 (Low) NA EUV光刻機的最新型號。該型號的光刻機能夠滿足Rapidus首代量產工藝2nm的制造需求。其特別之處在于與0.55 (High) NA EXE平臺共享部分組件，而且相較于之前的NXE:3600D光刻機，其晶圓吞吐量提升了37.5%。 除了核心的EUV光刻機外，Rapidus還有進一步的生產布局計劃。Rapidus將在IIM - 1晶圓廠安裝一系列配套先進半導體制造設備以及全自動材料處理系統，旨在實現2nm制程GAA（全環繞柵極）結構半導體的生產。如果Rapidus試產2nm芯片順利，還計劃在接下來的第二間工廠內采用1.4nm工藝，屆時預計將加大EUV光刻機的購買量。 此次ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻機在日本的交付安裝，有望提升日本在國際先進半導體制造領域的競爭力，并且對全球半導體產業的布局和發展產生積極影響。 |
